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半导体概念想来大伙都有一定的了解，蔡经理以及很多机构的投资者都很看好，最看好的还是蔡经理。半导体的概念之中，三安光电实际上是我们国内的光电领域中的榜首之位，而且也被不少的人都关注了，下面我来详细分析一下这只股票值不值得投资。
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一、从公司角度来看
公司介绍：三安光电股份有限公司主要目标就是实现化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司为国家人事部认证的博士后工作站及国家级企业技术中心，公司曾经被授予国家科学技术进步奖一等奖,二等奖等多个奖项。公司已经成为国家科技部及信息产业部认定的"半导体照明工程龙头企业"。公司现拥有MOCVD设备产能规模居国内首位。简单为大家讲解了三安光电后，下面我们从三安光电的优势开始分析，看看它还值不值得投资。
亮点一：LED芯片龙头，加速布局化合物半导体
三安光电是全球LED芯片龙头企业，经过多年发展，已形成全品类完整布局。公司在LED行业有着压倒性优势，在2020年营收就达到84.54亿元，同比增长13.32%，领先第二名晶元光电一倍以上。
2014年公司出现在以第三代半导体为主的化合物半导体领域的道路上，现在成功布局了氮化镓、砷化镓、氮化硅、等多种化合物半导体。营收额增长迅猛的化合物半导体平台-三安集成已从2017年的2594万元增长到2020年的9.74亿元。随着公司布局的持续化、快速化，化合物半导体有望推动公司业绩再攀高峰，
亮点二：Mini LED需求增加，公司持续受益
三星、LG、TCL、小米等企业相继推出Mini LED背光电视,苹果推出搭载 Mini-LED 背光屏 iPad Pro 产品，Mini LED或迎来大规模应用。在Mini LED方面，公司处于行业领先水平，已成为三星首要供应商并实现批量供货。另外，湖北三安 Mini/Micro显示芯片产业化项目部分产能也已投产运行，随着产能的进一步释放，公司营收规模和盈利能力将会持续改善。
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二、从行业角度看
十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这个无疑是利好。近年来，美国不断联合另其他家封锁中国的高科技发展，格外限制出口中国的设备、技术，由此也就放大了半导体技术国产化在国内市场的需求，也侧面推动了国内半导体全产业链的发展。还有就是，从2020年开始，行业的需求明显变强了，行业正在度过低谷翻开景气周期的新篇章，同时，Mini LED加速渗透，未来几年行业将迎来爆发，三安光电作为LED芯片的第一企业，发展飞速。
总而言之，三安光电公司的能力是非常强大的，叠加行业的快速发展，有进一步上升的空间。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确地知道三安光电未来行情，想进一步了解诊投，直接点击链接，了解一下三安光电估值的高低：【免费】测一测三安光电现在是高估还是低估？
应答时间：2021-10-06，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看
② 半导体材料(物理名词)详细资料大全
半导体材料（semiconctor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和积体电路的电子材料。
基本介绍
- 中文名 ：半导体材料
- 外文名 ：semiconctor material
- 分类 ：电子材料
- 导电能力 ：介于导体与绝缘体之间
- 电阻率 ：1mΩ·cm～1GΩ·cm
- 作用 ：可用来制作半导体器件和积体电路
- 特性 ：半导体电导率随温度的升高而升高
简介,主要种类,新型材料,实际运用,相关材料,特性信息,特性参数,特性要求,材料工艺,套用发展,早期套用,发展现状,战略地位,
简介
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。 由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化矽(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现电晶体化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。采用元素半导体矽（Si）以后，不仅使电晶体的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模积体电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。
半导体材料 主要种类
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体 在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11种具有半导性 的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中套用最广的两种材料。
半导体材料 无机化合物半导体 分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在套用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的套用范围方面起很大作用。
半导体材料 三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更复杂的无机化合物。 有机化合物半导体 已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到套用。 非晶态与液态半导体 这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
新型材料
其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应电晶体。 科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智慧型绷带、柔性显示屏、智慧型挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。 昂贵的原因主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由矽制成，制造成本很高;而碳基(塑胶)有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处不在”这一未来趋势。 以前的研究表明，碳结构越大，其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究，直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造电晶体的有机半导体材料。 有机半导体是一种塑胶材料，其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中，电路使用电晶体控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。
实际运用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
半导体材料 绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法套用最广，80%的矽单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中矽单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性矽单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯矽单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。 在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
相关材料
单晶制备 为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有：①从熔 体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶，用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1～2米的锗、矽单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长，薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底，一方面作为薄层材料的附着体，另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延)，也可以是不同材料（异质外延）。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态，再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。
半导体材料 宽频隙半导体材料 氮化镓、碳化矽和氧化锌等都是宽频隙半导体材料，因为它的禁频宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化矽可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要套用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管还是电子管，没有被半导体器件代替。这种电子管的寿命只有两三千小时，体积大，且非常耗电；如果用碳化矽的高功率发射器件，体积至少可以减少几十到上百倍，寿命也会大大增加，所以高温宽频隙半导体材料是非常重要的新型半导体材料。
半导体材料 这种材料非常难生长，矽上长矽，砷化镓上长GaAs，它可以长得很好。但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。另外这种材料的加工、刻蚀也都比较困难。科学家正在着手解决这个问题，如果这个问题一旦解决，就可以提供一个非常广阔的发现新材料的空间。
低维半导体材料 实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物感测器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和套用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式，也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。 电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。
半导体材料 由于上述的原因，电子的态密度函式也发生了变化，块体材料是抛物线，电子在这上面可以自由运动；如果是量子点材料，它的态密度函式就像是单个的分子、原子那样，完全是孤立的 函式分布，基于这个特点，可制造功能强大的量子器件。 大规模积体电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致晶片发热，从而限制了集成度，如果采用单个电子或几个电子做成的存储器，不但集成度可以提高，而且功耗问题也可以解决。雷射器效率不高，因为雷射器的波长随着温度变化，一般来说随着温度增高波长要红移，所以光纤通信用的雷射器都要控制温度。如果能用量子点雷射器代替现有的量子阱雷射器，这些问题就可迎刃而解了。
半导体材料 基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地套用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联雷射器是一个单极器件，是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源，在自由空间通信、红外对抗和遥控化学感测等方面有着重要套用前景。它对MBE制备工艺要求很高，整个器件结构几百到上千层，每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度，中国在此领域做出了国际先进水平的成果；又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱雷射器，它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点，中国已有很好的研究基础；在量子点（线）材料和量子点雷射器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。
半导体材料 材料中的杂质和缺陷 杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件（例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。随着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。
特性信息
特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁频宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁频宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。
半导体材料 特性要求
半导体材料的特性参数对于材料套用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。
半导体材料 电晶体对材料特性的要求 ：根据电晶体的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的电晶体可以工作于更高的频率（有较好的频率回响）。晶体缺陷会影响电晶体的特性甚至使其失效。电晶体的工作温度高温限决定于禁频宽度的大小。禁频宽度越大，电晶体正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁频宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生回响所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。对于太阳能电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的非平衡载流子寿命和适中的禁频宽度(禁频宽度于1.1至1.6电子伏之间最合适)。晶体缺陷会使半导体发光二极体、半导体雷射二极体的发光效率大为降低。 温差电器件对材料特性的要求：为提高温差电器件的转换效率首先要使器件两端的温差大。当低温处的温度（一般为环境温度）固定时，温差决定于高温处的温度，即温差电器件的工作温度。为了适应足够高的工作温度就要求材料的禁频宽度不能太小，其次材料要有大的温差电动势率、小的电阻率和小的热导率。
材料工艺
半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命 一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。
半导体材料 半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、矽是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。
套用发展
早期套用
半导体的第一个套用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极体（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。
半导体材料 从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。
发展现状
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着晶片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算， 日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
半导体材料 美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。 日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。 晶片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自矽晶圆。矽晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。 半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、晶片级封装和倒装晶片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。 与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。
战略地位
20世纪中叶，单晶矽和半导体电晶体的发明及其矽积体电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs雷射器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了资讯时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和套用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
③ 华为入股云南锗业是真是假
假的。华为接触的几个多的企业包括云南储业、金宏气体、万业企业、富临精工、上海电气等等，后面几个市值都太大了，暂时不作为考虑对象。市值最小且最容易发力的是在材料这块的布局就是云南锗业了。公司控股子公司有年产5万片两英寸磷化铟单晶片项目，目前GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸)，且下属子公司是云南重点发展项目，和华为走的比较近。
拓展资料：
与华为闹“绯闻” 2019年8月初，《昆明日报》报道，云南锗业控股子公司云南鑫耀试生产的6英寸砷化镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片经华为海思测试验证和现场核查，成为华为上游产业链的一环。云南锗业董事长包文东说，“能跟华为开展合作，对云南锗业的发展是一次很大的提升。”昆明市工信局局长赵小平表示，“云南锗业和华为的合作项目投资初期达到5亿元。” 随后，上述消息被多家媒体、投资者转载，云南锗业也被列入华为概念股。公司股价自8月至9月下旬上涨50%。
《科创板日报》记者注意到，2019年8月以来，深交所互动易平台上有关云南锗业与华为合作事宜的提问达40多次。但公司自始至终表示，华为到公司考察只是正常走访，目前子公司并未收到华为订单，未来是否取得订单尚不确定，也无合作开发新材料事项。针对“与华为的合作项目投资初期达到5亿元”，公司也明确表示，与华为并无涉及该金额的合作项目。
但后期多数时候公司未再正面否认，仅表示华为到公司考察是正常走访，并未涉及按规定需公开披露的具体事项；因涉及相关经营细节或当前不能确定的未来事项，公司暂时不便披露；子公司太阳能电池用锗晶片、磷化铟单晶片建设项目的实施，主要是结合下游需求及市场发展情况进行，并非仅针对某一客户进行。
针对投资者具体问题逻辑和语境的回复，但“言者无心，听者有意”，不免进一步勾起有关公司与华为合作的想象。
④ 威科赛乐是上市公司吗
威科赛乐微电子股份有限公司于贰零壹捌年注册成立，公司地址：重庆市万州经开区高峰园（万州经开区），主要经营销售磷化铟、单晶锗、氮化镓、氧化镓、碳化硅化合物半导体晶片，衬底，外延片，芯片，高纯锗、氧化硼，光电模组、光电器件、光电系统、电子元器件、半导体设备及相关技术咨询、技术转让、技术服务。（须经审批的经营项目，取得审批后方可从事经营） 企业类型：股份有限公司
⑤ 华为概念 激光雷达 自动驾驶 典型股——云南锗业
公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发。目前公司矿山开采的矿石及粗加工产品不对外销售，仅作为公司及子公司下游加工的原料。
公司目前材料级锗产品主要为区熔锗锭、二氧化锗；深加工方面，光伏级锗产品主要为太阳能锗晶片，红外级锗产品主要为红外级锗单晶（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪，光纤级锗产品为光纤用四氯化锗，非锗半导体材料级产品主要为砷化镓晶片、磷化铟晶片（磷化铟晶片主要用于生产光通信用激光器和探测器）。
公司产品主要运用包括红外光学、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。
公司材料级产品区熔锗锭产能为：47.60吨/年，太阳能锗晶片产能为30万片/年（4英寸），光纤用四氯化锗产能为60吨/年，红外光学锗镜头产能为3.55万套/年，砷化镓晶片产能为80万片/年（2-4英寸），磷化铟晶片产能为10万片/年（2-4英寸）。
2021公司及子公司主要生产计划如下：生产区材料级锗产品26吨（不含内部代加工），生产红外级锗产品3吨（金属量）、红外镜头3000具，生产光伏级锗产品20.50万片（4-6英寸），生产光纤级锗产品27吨，生产砷化镓晶片（低位错、半绝缘）17.67万片（1-6英寸），生产磷化铟晶片5.25万片（2-4英寸）。
所需原料主要由自有矿山供应及外购原料补充，辅助材料则由外部供应。全资子公司云南东昌金属加工有限公司的原辅料、控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司则由外部采购；
下游深加工产品方面，公司分别设立子公司负责不同系列的锗产品生产。
昆明云锗高新技术有限公司负责红外系列锗产品生产，
云南中科鑫圆晶体材料有限公司负责光伏级锗产品生产，
武汉云晶飞光纤材料有限公司负责光纤级锗产品生产，
云南鑫耀半导体材料有限公司负责化合物半导体材料生产，
云南东润进出口有限公司主要业务为国内贸易，进出口业务。
公司是一家拥有完整产业链的锗行业上市公司，拥有丰富、优质的锗矿资源，锗产品销量全国第一，是目前国内最大的锗系列产品生产商和供应商。
公司矿山截至2009年12月31日，已经探明的锗金属保有储最合计达689.55吨。后公司通过收购采矿权和股权的方式陆续整合五个含锗矿山，锗金属保有储量增加约250吨，2010年至今，公司矿山累计消耗资源产出金属量约250.21吨。
行业概况
锗是一种稀散稀有金属，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。
目前，国外资源供给不足，需要从我国进口锗产品的情况短期内难以改变，但国内出口产品将由二氧化锗、金属锗向后端深加工产品转移的趋势也在逐步加强。
调研
锗锭，目前价格在低位，7000元/公斤。锗片，按片卖，折合成公斤，几万/公斤。公司从材料 => 深加工
公司发展从卖锗矿到卖锗片，以前锗片是进口，现在国产了，公司在国内排名第二。
全球锗储量8000吨，原生矿120吨，回收40吨
全国锗储量3000吨，原生矿100吨，回收20吨
公司锗储量600吨，用量20吨，有6个矿山，其中只开了2个
云南基地产品应用：红外，光伏
武汉基地产品应用：光纤（做预制棒）
高端光伏用锗基，三代电池，在空间站用。
转换效率是硅基的2倍。国内几家所都在使用所都有用。
光纤产品，国产替代，以前都是比利时进口
红外产品，镜片 => 镜头 => 系统集成
1992年，海湾战争，美军用红外镜头，夜视镜头，锗的红外用途才公开昆明云锗（二级保密资质）
原料出口，有机锗，可以用作食品
硅锗合金，还在理论期
自动驾驶需要红外。
鑫耀半导体：激光雷达唯一的上市公司（云南锗业子公司）
华为哈勃投资
半导体：
磷化铟：产量5万片，规划产能15万片（车载激光雷达用磷化铟衬底）
美股已上市激光雷达企业Luminar激光雷达产品采用的1550nm光源即为磷化铟材料。
砷化镓：产量30万片，规划产能80万片（军用微光；扫地机器人，砷化镓同时用作发射器和探测器）
供给海思在做认证。华为是大客户，但不是唯一客户。
三安光电也是客户之一，做外延片
华为哈勃在激光雷达产业链上下游主要投资了5家公司：
上游材料布局一一鑫耀半导体（目前哈勃投资持股23.91%）主要产品包括砷化镓单晶片、磷化铟单晶片等III-V族半导体衬底片，是垂直腔面发射激光器（VCSEL）、光通信用激光器和探测器的必备原材料。
汽车 以太网布局——裕太微电子（目前哈勃投资持股9.29%），是国内为数不多拥有自主知识产权的以太网PHY芯片供应商。现有产品方向包括，以太网物理层芯片、以太网交换芯片和以太网网卡芯片等。 汽车 以太网是新型 汽车 电子电器架构的主干网络，以太网PHY不止用在激光雷达中传输点云数据，在毫米波雷达、智能座舱、自动驾驶域控制器上均有应用。
单光子dToF布局——南京芯视界（目前哈勃投资持股7.66%），公司的单光子 dToF芯片产品可广泛应用于 汽车 辅助以及自动驾驶激光雷达、机器人定位导航、手机三维成像等领域。单光子dToF技术是未来实现激光雷达小型化、低成本、可量产的一项关键技术。
VCSEL技术布局——纵慧芯光（目前哈勃投资持股4.66%），为 汽车 雷达提供V CSEL光源解决方案。纵慧芯光已成功进入华为旗舰手机VCSEL供应链。
激光发射模组布局——炬光 科技 （目前哈勃投资持股2.96%，公司已申报科创板），基于半导体激光器和激光光学技术，可以为激光雷达提供激光发射模组以及光学模组。其用于激光雷达面光源的光束扩散器及高峰值功率固态激光雷达光源模块已于2020年进入量产阶段
作者：沸点时报
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⑥ 有色金属「证识深度」
1、焦作万方、 公司自身为电解铝生产企业
2、云铝股份 、隶属于云南国资委；构建了集“铝土矿开采-水电-铝-铝深加工”为一体的完整产业链
3、中国铝业、 母公司的稀土集团是六大稀土集团之一，整合六省份稀土资源；公司构建了以铝土矿、氧化铝、电解铝产品为主体的产业链
4、北方稀土、 公司是全球最大的稀土产品供应商和最大的稀土企业集团和稀土产业基地，是我国六大稀土集团之一
5、五矿稀土、 国内最大的南方离子型稀土分离加工企业之一；五矿集团唯一的稀土资产整合平台
6、盛达资源、 国内少有的银资源储量超过5000吨的公司；公司目前控股银都矿业、金山矿业、光大矿业、赤峰金都、东晟矿业等5家矿业子公司
7、洛阳钼业、 公司拥有刚果（金）第二大的铜钴矿TFM，铜金属储量为471.8万吨；全球第二大钴矿商，仅次于矿业巨头嘉能可
8、盛屯矿业 、公司钴材料业务以刚果（金）为基地，围绕钴矿资源，实现包括“钴原材料”+“铜钴冶炼”+“钴产品贸易”+“钴材料深加工”+“钴回收”在内的完整体系
9、南山铝业、 形成从“热电-氧化铝-电解铝-熔铸铝-压铸”的完整产业链，铝型材产品产销量国内领先，承担了C919大飞机航空铝材
10、英洛华 、公司主要业务为稀土永磁材料与制品，终端用户包括苹果、三星、比亚迪等
11、楚江新材、 中国铜板带材“十强企业”第一名；公司高精度铜合金板带材产量占国内市场份额的9.65%，稳居国内第一，进入全球前三位
12、北京利尔、 国内最大的钢铁工业用耐火材料整体承包服务商，旗下中兴矿业、西陕东山有镁矿资源，主要用于内部供货
13、明泰铝业、 国内铝加工行业的领军企业之一，产品涵盖铝板带箔及铝型材两大门类
14、怡球资源、 中国铝资源再生领域的龙头企业之一；国内仅有的少数几家铝合金锭产品在伦敦金属交易所注册并能实际交割销售的生产企业之一
15、华钰矿业、 主要从事有色金属勘探、采矿、选矿及贸易业务，主要产品包括锌精矿、铅锑精矿（含银）、铜精矿等
16、厦门钨业、 公司为赣州豪鹏第一大股东和腾远钴业第三大股东，赣州豪鹏、腾远钴业为公司电池材料提供了一定的钴锂原料保障
17、北矿 科技 、 公司是北京有色金属研究总院旗下，主营磁性材料和磁器件的研发、生产和销售
18、云南锗业、公司已完成5万片/年2英寸InP产能建设，还拟投建新一条磷化铟单晶片生产线，建成后将拥有年产15万片4英寸磷化铟单晶片的能力，还具备4英寸GaAs单晶片产能80万片/年
19、银河磁体、 公司是全球粘结钕铁硼稀土磁体产销龙头，产品包括粘结钕铁硼磁体、钐钴磁体和热压钕铁硼磁体，全球动荡局势对稀土板块带来反复催化
20、金田铜业、 2020-04上市公司主要产品包括铜产品和烧结钕铁硼永磁材料两大类
21、广晟有色、 公司是广东省稀土产业集团的唯一稀土上市平台，公司稀土产品包括氧化镧、氧化铈、氧化镨钕、氧化铕等；另外拥有钨等多个资源
22、盛和资源、 公司拥有稀土矿山开采、稀土分离、金属冶炼、稀土废料回收利用完整产业链；参股美国Mountain Pass
23、西部矿业、 公司为西部最大的有色金属矿业公司之一；主要从事铜、铅、锌、铁等基本有色金属、黑色金属的采选、冶炼、贸易等业