薄膜晶体管上市公司

⑴ 薄膜晶体管的历史及现状

人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;随后,又涌现了用 CdSe,InSb,Ge 等半导体材料做成的 TFT 器件.二十世纪六十年代,基于低费用,大阵列显示的实际需求,TFT 的研究广为兴起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 术 2006 年 9 月 首次研制出有源矩阵液晶显示(AMLCD) ,并用 CdSe TFT 作为开关单元.随着多晶硅掺杂工艺的发展,1979 年 后来许多实验室都进行了将 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源层,做成如图 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃为衬底的研究.二十世纪八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有着极重要的地位,所做成的产品占据了市场绝 大部分份额.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT) ,OTFT 技术从此开 始得到发展.九十年代,以有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点.由于在制造工艺和成本上的优势,OTFT 被认为将来极可能应用在 LCD,OLED 的驱动中.近年来,OTFT 的研究取得了突破性的进展.1996 年,飞利浦公 司采用多层薄膜叠合法制作了一块 15 微克变成码发生器(PCG) ;即使当薄膜严重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的无定型金属氧化物锆酸钡作为并五苯有机薄膜晶体管的栅绝 IBM公司用一种新型的具有更高的介电常数 缘层,使该器件的驱动电压降低了 4V,迁移率达到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell实验室的 Katz 和他的研究小组制 得了在室温下空气中能稳定存在的噻吩薄膜,并使器件的迁移率达到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 实验室用并五苯单晶制得 这向有机集成 了一种双极型有机薄膜晶体管, 该器件对电子和空穴的迁移率分别达到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 电路的实际应用迈出了重要的一步.最近几年,随着透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半导体材料作为活性 层制作薄膜晶体管,因性能改进显着也吸引了越来越多的兴趣.器件制备工艺很广泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技术也取得了突破性进展.2003 年,Nomura等人使用单晶 InGaO3 (ZnO)5 获得了迁移率为 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美国杜邦公司采用真空蒸镀和掩膜挡板技术在聚酰亚铵柔性衬底上开发了 ZnO-TFT,电 这是在聚酰亚铵柔性衬底上首次研制成功了高迁移率的 ZnO-TFT, 这预示着在氧化物 TFT 子迁移率为 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 领域新竞争的开始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作为活性层制得开关比为 107 薄膜晶体管. H C等人利用 CBD 方法制得开关比为 105 ,迁移率为 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,这也显示出实际应用的可能.

⑵ 薄膜晶体管的概念

TFT是在基板 (如是应用在液晶显示器，则基板大多使用玻璃) 上沉积一层薄膜当做通道区。
大部份的TFT是使用氢化非晶硅 (a-Si:H) 当主要材料，因为它的能阶小于单晶硅 (Eg =1.12eV)，也因为使用a-Si:H当主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介电、电极及内部接线使用铟锡氧化物 (ITO) ，ITO则是透明的材料。
因为TFT基板不能忍受高的退火温度，所以全部的沉积制程必须在相对低温下进行。如化学气相沉积、物理气相沉积 (大多使用溅镀技术) 都是常使用的沉积制程。如要制作透明的TFT，第一个被研究出来的方法是使用氧化锌材料，此项技术由奥勒岗州立大学的研究员于2003年时发表。
很多人都知道薄膜晶体管主要的应用是TFT LCD，液晶显示器技术的一种。晶体管被作在面板里，这样可以减少各pixel间的互相干扰并增画面稳定度。大略是从2004年开始，大部份便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技术的。连在乳线和癌症X-ray检查的数位X-ray摄影技术上也很常使用TFT面板。
新的AMOLED (主动阵列OLED) 屏幕也内建了TFT层。

⑶ 什么是第 8.6代薄膜晶体管液晶显示器件

TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display字头的缩写。薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。 把单晶上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行薄膜晶体管（TFT）阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用与业已成熟的液晶显示器（LCD）技术，形成一个液晶盒，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器件。
TFT-LCD是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。
简单说，TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Color Filter）、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素（Pixel）的明暗状态。此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个像素（Pixel）各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了皮肤上的图像画面。

⑷ LED封装概念股 涉足LED封装行业上市公司有哪些

涉足LED封装行业上市公司有哪些？ 在国内约有14 家上市公司涉足该领域，主要包括联创光电(加入自选股)（600363）、方大A（000055）、长电科技(加入自选股)（600584）、福日电子（600203）、上海科技（600608）、京东方A（000725）、春兰股份（600854）、澳柯玛(加入自选股)（600336）、金种子酒(加入自选股)（600199）、煤气化(加入自选股)（000968）、东湖高新(加入自选股)（600133）、嘉宝集团(加入自选股)（600622）、兰宝信息（000631）、士兰微(加入自选股)（600460）等。 中国的LED产业2003年以来快速发展，已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态正在发生改变，中国 LED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最为引人注目。从产业规模看，2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节，总产值达到105.5亿元，其中封装环节产值达到87.5亿元。封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节，但产值所占比例相对以前有了很大的改善，并在将来的发展中，芯片占的比重将持续得到提升，封装环节占的比重将逐年下降。中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片环节。 国内资本市场上涉及LED产业的上市公司中真正具有一定的产业优势和投资价值，能够分享未来行业成长的主要有两家：联创光电和士兰微。联创光电是 LED的老将，士兰微是新锐，联创长于LED封装和应用，有完善的产业链；士兰微长于LED芯片，在单一领域已经做到国内最优。 主营LED背光显、LED照明和节能灯的上市公司一览 [1]、京东方A（000725）：LED背光源 [2]、海信电器(加入自选股)（600060）：国内第一家推出LED液晶电视的企业 [3]、联创光电（600363）：LED的老将，长于LED封装和应用，有完善的产业链 [4]、TCL集团(加入自选股)（000100）：京东方一直在和TCL等厂家进行合作 [5]、深康佳Ａ(加入自选股)（000016）：国内LED大屏幕显示领域的领先地位 [6]、同洲电子(加入自选股)（002052）：LED电子显示屏软件 相关涉及LED照明的上市公司： [1]、三安光电(加入自选股)（600703）：为中国目前最大、产业链最完整、产品最全的LED生产厂商 [2]、联创光电（600363）：LED的老将，长于LED封装和应用 [3]、士兰微（600460）：长于LED芯片，在单一领域已经做到国内最优 [4]、同方股份(加入自选股)（600100）：高亮度半导体发光二极管（LED）芯片的扩大生产以及在特种景观照明的规模化应用 [5]、方大A（000055）：从LED外延片、芯片到半导体照明产品及工程等终端市场应用 [6]、天富热电(加入自选股)（600509）：国内唯一的SiC衬底生产企业 [7]、德豪润达(加入自选股)（002005）：集外延、芯片、封装、应用于一身 [8]、福日电子（600203）：与中科院半导体研究所合作投资氮化镓 [9]、长电科技（600584）：公司有望成为世界级的集成电路封装企业 [10]、澳柯玛（600336）：LED户外景观灯、工业LED应用灯具、民用LED灯具产品等 [11]、煤气化（ 000968）：新型自主研发产品KL4LM(H)整体式锂电LED矿灯 [12]、厦门信达(加入自选股)（000701）：超高亮度LED封装、应用研发与生产 [13]、飞乐音响(加入自选股)（600651）：LED绿色照明 [14]、长江通信(加入自选股)（600345）：自发电LED灯系列、LED走道灯系列、LED日光灯系列 [15]、大族激光(加入自选股)（002008）：LED点阵块、LED半户外点阵块 相关涉及绿色照明（节能灯）的上市公司 [1]、浙江阳光（600261）：公司是目前亚洲最大的节能制造厂商，也是飞利浦贴牌灯的最大生产商 [2]、佛山照明(加入自选股)（000541）：照明产业龙头企业，开发新一代节能荧光灯 [3]、华微电子(加入自选股)（600360）：节能灯用功率晶体管国内市场占有率为40%左右 [4]、雪莱特(加入自选股)（002076）：HID车灯和紫外线灯的技术均处于行业领先地位 [5]、拓邦股份(加入自选股)（002139）：高效照明产品及控制器 [6]、法拉电子(加入自选股)（600563）：薄膜电容器作为节能灯配套产品镇流器的必用元件

⑸ 电致变色玻璃概念有哪些上市公司

1、 洛阳玻璃(证券代码600876)

1994年3月28日，洛阳玻璃股份有限公司(以下简称本公司)由中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司(简称洛玻集团公司)独家发起创立， 1994年4月6日注册成立。

洛阳玻璃按照中建材集团公司发展新型建材、新型房屋、新能源材料“三新”产业战略发展要求，确立把洛玻股份打造成高端电子玻璃、光热玻璃、光伏玻璃等新玻璃、新材料制造商的战略发展方向，持续开展超薄电子玻璃、超白超薄玻璃、光热玻璃。

2、蓝思科技(证券代码300433)

蓝思科技是一家以研发、生产、销售高端视窗触控防护玻璃面板、触控模组及视窗触控防护新材料为主营业务的上市公司。

近年来，公司紧跟消费电子产品技术升级带来的整机更新热潮，积极跟踪各大品牌对上游技术要求的发展动态，抢先开发和率先投入，进一步延伸产业链，目前公司业务已经覆盖视窗防护玻璃，触摸屏单体，触摸屏模组，摄像头，按键，陶瓷，金属配件等。产品广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、播放器、GPS导航仪、车载触控、智能穿戴、智能家居等方面，市场前景广阔。

公司布局研发3D曲面玻璃时间早在五年之前,目前工艺成熟度处于行业领先,产能远大于2700万片/年。

3、凯盛科技(证券代码600552)

凯盛科技研发了太阳能光伏玻璃、电子信息显示玻璃、节能玻璃等国际领先的技术并实施产业化，多项技术打破国外垄断，填补国内空白，满足了太阳能光伏产业和电子信息产业及建筑节能快速发展的需要。

4、合力泰(证券代码002217)

合力泰科技股份有限公司成立于2004年，注册资本达31.16亿元，是集开发、设计、生产、销售为一体的液晶显示、触控模组、智能硬件产品的制造商和方案商。

公司主要产品横向布局在液晶显示模组、触控模组、摄像头模组、指纹识别模组、无线充电模组;纵向产业链布局盖板玻璃、FPC，新产品2.5D盖板玻璃、3D盖板玻璃，布局电子纸生态链;公司提供一站式采购，给终端客户提供高品质的产品和满意的服务。

5、山东华鹏（603021）

公司2019上半年实现营业总收入3.7亿，同比下降6.6%;实现归母净利润-1195.2万，2018年同期为298.2万元，未能维持盈利状态。报告期内，公司毛利率为21.5%，同比降低1.3个百分点，净利率为-3.7%。公司2019半年度营业成本2.9亿，同比下降5%，低于营业收入6.6%的下降速度，毛利率下降1.3%。

⑹ 薄膜晶体管的作用是什么

薄膜晶体管简称TFT器件，也称TFT开关管，它是基于场效应管的原理制作而成的，也就是说，TFT器件是一种利用电场效应来控制电流的管子。因为参与导电的只有一种极性的载流子，所以，TFT器件是一种单极性器件。TFT器件也有3个电极，即源极S（相当于三极管的E极）、栅极G（相当于三极管的B极）和漏极D（相当于三极管的C极）。但二者的控制特性却截然不同，三极管是电流控制器件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，即需要信号源提供一定的电流才能工作，因此，它的输入电阻较低；TFT器件则是电压控制器件，它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以，它的输入阻抗很高。此外，TFT器件还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、噪声小等优点。

⑺ 薄膜晶体管的原理

薄膜晶体管的原理：

1、薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管。它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图2。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。

2、当达到强反型时(即达到开启电压时)，源，漏间加上电压就会有载流子通过沟道。当源漏电压很小时，导电沟道近似为一恒定电阻，漏电流随源漏电压增加而线性增大。当源漏电压很大时，它会对栅电压产生影响，使得栅绝缘层中电场由源端到漏端逐渐减弱，半导体表面反型层中电子由源端到漏端逐渐减小，沟道电阻随着源漏电压增大而增加。漏电流增加变得缓慢，对应线性区向饱和区过渡。

3、当源漏电压增到一定程度，漏端反型层厚度减为零，电压在增加，器件进入饱和区。在实际LCD生产中，主要利用a-Si：HTFT的开态(大于开启电压)对像素电容快速充电，利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。

⑻ 薄膜晶体管研究方向的研究生毕业好找工作吗

中科院的研究生毕业后找工作比较容易。中科院的研究生毕业后找工作显然比不过985了，你要知道，不管是从对人的培养，还是工作，中科院各个专业都没有法和985相比。我觉得不光是我们所如此。首先说对人的培养，要知道，高等院校，特别是985其学科和专业的设置是比较成熟的，高校的主要任务是教书育人，也就是说其培养模式是成熟的，教学水平是有保证的，一个人在这种环境下容易形成比较完善的知识体系。实践教学也是如此，尽管中科院条件好，但其实大多数仪器不对学生开放，所以你做的实验，大部分的仪器都不是自己用，只是把样品送去而已，但高校不是这样的，大部分985的各种仪器是对学生开放的，你可以学到很多。一句话，高校培养你，不是光为了让你干活，教学本身就是其目的之一。可能你在中科院发了好文章，但你什么都没有学会。离开了老师你什么都不会都不懂。其次，说就业，要知道，高校是很重视学校的就业率的，但研究所会么？他们连招聘会都没有，而且，你一直要干到毕业，人家出了钱的，你没有时间出去找工作，这样其结果是可想而知的。中科院可能在学术界有一定的名气，但你说一个高校或者事业单位的人事处长会听说中科院的学术名气吗？显然不会。另外，即便对于工科专业，由于中科院的专业是项目导向的，也就是老师申请下来什么项目，他就招什么方向，所以大多数工科方向与工科院校比，市场导向太差了。举例来说，你学通信的，如果去了电子科技大学，他们的研究方向有什么移动通信了，通信网络了等等，但你去了中科院的研究所，那个专业方向会偏的吓人，以至于几乎对找工作没什么帮助，另外高校是要出去进企业实习的，这也是高校的一大优势。最后，我要说，什么人来中科院。1是穷的叮当响的人，这种人就是为了补助，而且中科院还不算差，为生计所逼，不得不选这个地方，其实现在完全不必要了，我同学在985读博的工资都已经3000多了，我还是1600，钱的优势以后没有了，中科院再也买不来优秀的穷苦孩子了。2.是本科学校太烂，鉴于中科院的竞争急剧下降，那些985学校的读本校可以找到好的导师，外面的非985只能挑剩下的，所以只好考中科院碰碰运气。毕竟中科院现在已经不太挑学校，也没有了歧视别人的资本——能招上来就不错了，要什么自行车啊。3.这是我最敬佩的一种人，立志于科研事业，不怕苦，不怕累，不求回报，勇于牺牲。的确，中科院实力平均，一般的都能发个不错的文章，从而使学术生涯有个不错的起点。但985们完全没有必要来中科院，本校的好导师不比中科院的好导师差，而且要知道，这些人以后要成为或者已经成为你母校的领导，其含义，已经20多岁的你应该知道——没什么比在母校更有利于你发展的地方了，地方保护，朋比为奸，这也是这个圈子里的特色。

⑼ 什么是薄膜晶体管

就是将聚合物成膜在电极之间，制成基于聚合物的薄膜晶体管。所用的聚合物具有导电性，其电荷迁移率可以与无机半导体相比。聚合物薄膜晶体管的优势在于：利用聚合物的优良加工性能和机械性能，薄膜晶体管大面积加工、工艺简单，因此可以降低加工成本；另一个无机薄膜晶体管所不具备的优势在于，聚合物薄膜晶体管可以随意弯曲折叠，因此在国防、军事等方面有广泛的用途。

⑽ 国内有哪些企业机构从事与薄膜晶体管相关的科研和生产

科研类的：北京大学薄膜晶体管与先进显示重点实验室