內存條概念漲停

① 誰能告訴我內存條的發展史!拜託!

作為PC不可缺少的重要核心部件——內存，它伴隨著DIY硬體走過了多年歷程。從286時代的30pin SIMM內存、486時代的72pin SIMM 內存，到Pentium時代的EDO DRAM內存、PII時代的SDRAM內存，到P4時代的DDR內存和目前9X5平台的DDR2內存。內存從規格、技術、匯流排帶寬等不斷更新換代。不過我們有理由相信，內存的更新換代可謂萬變不離其宗，其目的在於提高內存的帶寬，以滿足CPU不斷攀升的帶寬要求、避免成為高速CPU運算的瓶頸。那麼，內存在PC領域有著怎樣的精彩人生呢？下面讓我們一起來了解內存發展的歷史吧。

一、歷史起源——內存條概念

如果你細心的觀察，顯存（或緩存）在目前的DIY硬體上都很容易看到，顯卡顯存、硬碟或光碟機的緩存大小直接影響到設備的性能，而寄存器也許是最能代表PC硬體設備離不開RAM的，的確如此，如果沒有內存，那麼PC將無法運轉，所以內存自然成為DIY用戶討論的重點話題。

在剛剛開始的時候，PC上所使用的內存是一塊塊的IC，要讓它能為PC服務，就必須將其焊接到主板上，但這也給後期維護帶來的問題，因為一旦某一塊內存IC壞了，就必須焊下來才能更換，由於焊接上去的IC不容易取下來，同時加上用戶也不具備焊接知識（焊接需要掌握焊接技術，同時風險性也大），這似乎維修起來太麻煩。

因此，PC設計人員推出了模塊化的條裝內存，每一條上集成了多塊內存IC，同時在主板上也設計相應的內存插槽，這樣內存條就方便隨意安裝與拆卸了（如圖1），內存的維修、升級都變得非常簡單，這就是內存「條」的來源。
小帖士：內存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暫存數據及指令。我們可以同時寫數據到RAM 內存，也可以從RAM 讀取數據。由於內存歷來都是系統中最大的性能瓶頸之一，因此從某種角度而言，內存技術的改進甚至比CPU 以及其它技術更為令人激動。
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以上未完部分，我不轉貼了，在下面的網址，我個人認為是非常全面的了：
http://www.incpc.net/Html/histroy/20060907817.html

給你一點參考吧，雖然我不支持寫論文從網上搬點東西來。

DOS操作系統最早設計時，PC機的硬體系統只支持1M位元組的定址空間，所以DOS只能管理最多1M位元組的連續內存空間。在這1M內存中，又只有640K被留給應用程序使用，它們被稱為常規內存或基本內存，其它384K被稱為高端內存，是留給視頻顯示和BIOS等使用的。在1982年，640K內存對微型計算機來說顯得綽綽有餘，人們甚至認為，640K的內存可以用來干任何事。現在看起來有些可笑，但在當時，情況確實如此。

現在的情況是，即使你的電腦裝有幾兆或幾十兆內存，但如果你使用DOS操作系統，那麼你也只有640K的內存可以直接使用，1M以上的內存要通過一些內存管理工具才能使用。值得慶幸的是，Windows 95已經不存在常規內存的限制了，你所有的內存，不管是8M還是128M，都可以被直接使用。

在DOS下，系統中存在以下四種內存：
常規內存(Conventional Memory)；
高端內存(Upper Memory)；
擴充內存(Expanded Memory)；
擴展內存(Extended Memory)。

常規內存指的是0－640K的內存區。在DOS下，一般的應用程序只能使用系統的常規內存，因而都要受到640KB內存的限制。而且由於DOS本身和config.sys文件中的安裝的設備驅動程序和autoexec.bat文件中執行的內存駐留程序都要佔用一些常規內存，所以應用程序能使用的常規內存是不到640K的。有很多時候，我們都要想方設法地整理內存，好為一些「胃口」比較大的應用程序留出足夠的常規內存，這一點想必是許多DOS時代的電腦愛好者最熟悉不過的了。

高端內存是指位於常規內存之上的384K內存。程序一般不能使用這個內存區域，但是EMM386.exe可以激活高端內存的一部分，並且它允許用戶將某些設備驅動程序和用戶程序用Devicehigh或LH(即loadhigh)裝入高端內存。dos=high,umb也是把DOS的一部分裝到高端內存里。這里的umb是高端內存塊(Upper Memory Block)的縮寫。

擴充內存是一種早期的增加內存的標准，最多可擴充到32M。使用擴充內存必須在計算機中安裝專門的擴充內存板，而且還要安裝管理擴充內存板的管理程序。由於擴充內存是在擴展內存之前推出的，所以大多數程序都被設計成能使用擴充內存，而不能使用擴展內存。由於擴充內存使用起來比較麻煩，所以在擴展內存出現後不久就被淘汰了。

擴展內存只能用在80286或更高檔次的機器上，目前幾乎所有使用DOS的機器上超過1M的內存都是擴展內存。擴展內存同樣不能被DOS直接使用，DOS5.0以後提供了Himem.sys這個擴展內存管理程序，我們可以通過它來管理擴展內存。emm386.exe可以把擴展內存(XMS)模擬成擴充內存(EMS)，以滿足一些要求使用擴充內存的程序。

最後再強調一下，不管擴充內存或擴展內存有多大，DOS的應用程序只能在常規內存下運行。有的程序可以通過DOS擴展器(比如DOS4GW.exe等程序)使CPU進入保護模式，從而直接訪問擴展內存；但是要注意，進入保護模式以後，計算機就脫離了DOS狀態。

在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存）.內存在電腦中起著舉足輕重的作用。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

●內存

內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字元時，它就被存入內存中，當你選擇存檔時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。在進一步理解它之前，還應認識一下它的物理概念。

●只讀存儲器（ROM）

ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在製造ROM的時候，信息（數據或程序）就被存入並永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用於存放計算機的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

●隨機存儲器（RAM）

隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有128M／條、256M／條、512M／條等。

●高速緩沖存儲器（Cache）

Cache也是我們經常遇到的概念，它位於CPU與內存之間，是一個讀寫速度比內存更快的存儲器。當CPU向內存中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的內存，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取內存中的數據。

當你理解了上述概念後，也許你會問，內存就是內存，為什麼又會出現各種內存名詞，這到底又是怎麼回事呢？

在回答這個問題之前，我們再來看看下面這一段。

物理存儲器和地址空間

物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由於這兩者有十分密切的關系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助於進一步認識內存儲器和用好內存儲器。

物理存儲器是指實際存在的具體存儲器晶元。如主板上裝插的內存條和裝載有系統的BIOS的ROM晶元，顯示卡上的顯示RAM晶元和裝載顯示BIOS的ROM晶元，以及各種適配卡上的RAM晶元和ROM晶元都是物理存儲器。

存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個位元組）分配一個號碼，通常叫作「編址」。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便於找到它，完成數據的讀寫，這就是所謂的「定址」（所以，有人也把地址空間稱為定址空間）。

地址空間的大小和物理存儲器的大小並不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間採用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大於實際房間數量的。

對於386以上檔次的微機，其地址匯流排為32位，因此地址空間可達232即4GB。但實際上我們所配置的物理存儲器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠小於地址空間所允許的范圍。

好了，現在可以解釋為什麼會產生諸如：常規內存、保留內存、上位內存、高端內存、擴充內存和擴展內存等不同內存類型。

各種內存概念

這里需要明確的是，我們討論的不同內存的概念是建立在定址空間上的。

IBM推出的第一台PC機採用的CPU是8088晶元，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。

PC機的設計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統使用。從此，這個界限便被確定了下來並且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規內存即PC機的基本RAM區。保留內存中的低128KB是顯示緩沖區，高64KB是系統BIOS（基本輸入／輸出系統）空間，其餘192KB空間留用。從對應的物理存儲器來看，基本內存區只使用了512KB晶元，佔用0000至80000這512KB地址。顯示內存區雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器晶元，佔用了B0000至B10000這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，佔用B8000至BC000這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小於允許使用的地址空間。

在當時（1980年末至1981年初）這么「大」容量的內存對PC機使用者來說似乎已經足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內存空間的新型CPU相繼出現，最初的PC機和MS－DOS設計的局限性變得越來越明顯。

1.什麼是擴充內存？

EMS工作原理

到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟體的傑出代表，聯手制定了一個由硬體和軟體相結合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。

在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內存規范，通常稱EMS為擴充內存。當時，EMS需要一個安裝在I／O槽口的內存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址線只有24位（ISA匯流排），這對於386以上檔次的32位機是不能適應的。所以，現在已很少使用內存擴充卡。現在微機中的擴充內存通常是用軟體如DOS中的EMM386把擴展內存模擬或擴充內存來使用。所以，擴充內存和擴展內存的區別並不在於其物理存儲器的位置，而在於使用什麼方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。

前面已經說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉換而成。EMS的原理和XMS不同，它採用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內存區內，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

2.什麼是擴展內存？

我們知道，286有24位地址線，它可定址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可定址高達4GB的地址空間，為了區別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內存XMS（eXtend memory）。

在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或實方式，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大定址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式採用32位物理地址，定址范圍可達4GB。DOS系統在實方式下工作，它管理的內存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內存的使用標准，即擴展內存規范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內存的驅動程序。

擴展內存管理規范的出現遲於擴充內存管理規范。

3.什麼是高端內存區？

在實方式下，內存單元的地址可記為：

段地址：段內偏移

通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內偏移相加而成。若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0＋FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16位元組），這已超過1MB范圍進入擴展內存了。這個進入擴展內存的區域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內存區HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之後才能使用HMA。

4.什麼是上位內存？

為了解釋上位內存的概念，我們還得回過頭看看保留內存區。保留內存區是指640KB～1024KB（共384KB）區域。這部分區域在PC誕生之初就明確是保留給系統使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間並沒有充分使用，因此大家都想對剩餘的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲器）來使用。於是就得到了又一塊內存區域UMB。

UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內存或上位內存塊。它是由擠占保留內存中剩餘未用的空間而產生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅動程序是EMS驅動程序。

5.什麼是SHADOW（影子）內存？

對於細心的讀者，可能還會發現一個問題：即是對於裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由於這部分地址空間已分配為系統使用，所以不能再重復使用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據的地址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高於ROM。當把ROM中的內容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統性能。因此在設置CMOS參數時，應將相應的Shadow區設為允許使用（Enabled）。

6、什麼是奇/偶校驗？

奇/偶校驗（ECC）是數據傳送時採用的一種校正數據錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。

如果是採用奇校驗，在傳送每一個位元組的時候另外附加一位作為校驗位，當實際數據中「1」的個數為偶數的時候，這個校驗位就是「1」，否則這個校驗位就是「0」，這樣就可以保證傳送數據滿足奇校驗的要求。在接收方收到數據時，將按照奇校驗的要求檢測數據中「1」的個數，如果是奇數，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。

同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數據中「1」的個數為偶數。

總 結

經過上面分析，內存儲器的劃分可歸納如下：

●基本內存 占據0～640KB地址空間。

●保留內存 占據640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統ROM BIOS，剩餘空間可作上位內存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為Shadow RAM使用。

●上位內存（UMB） 利用保留內存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅動程序設定。

●高端內存（HMA） 擴展內存中的第一個64KB區域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

●XMS內存 符合XMS規范管理的擴展內存區。其驅動程序為HIMEM.SYS。

●EMS內存 符合EMS規范管理的擴充內存區。其驅動程序為EMM386.EXE等。

② 內存條的發展史

在計算機誕生初期並不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩態電路作為一比特（BIT)的存儲器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想像一間的機房只能裝下不超過百k位元組左右的容量。後來才出線現了焊接在主板上集成內存晶元，以內存晶元的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存晶元容量都特別小，最常見的莫過於256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對於那時的運算任務來說卻已經綽綽有餘了。
內存條的誕生
內存晶元的狀態一直沿用到286初期，鑒於它存在著無法拆卸更換的弊病，這對於計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒於此，內存條便應運而生了。將內存晶元焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝和更換的問題徹底解決了。
在80286主板發布之前，內存並沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對於當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟體程序的處理需要。不過隨著軟體程序和新一代80286硬體平台的出現，程序和硬體對內存性能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了「內存條」概念。
在80286主板剛推出的時候，內存條採用了SIMM（Single In-lineMemory Moles，單邊接觸內存模組）介面，容量為30pin、 256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖。
隨後，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴充數據模式存儲器）內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU 的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的 486及早期的Pentium電腦上。
在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO DRAM有72 pin和168 pin並存的情況，事實上EDO 內存也屬於72pin SIMM 內存的范疇，不過它採用了全新的定址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著製作工藝的飛速發展，此時單條EDO 內存的容量已經達到4 ～16MB 。由於Pentium及更高級別的CPU數據匯流排寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對使用。
SDRAM時代
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板晶元組推出後，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM 內存為PC66 規范，但很快由於Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據匯流排寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。
不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恆的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規范的內存。
盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單內存架構，基於一種類RISC(Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧，Rambus DRAM內存以高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
盡管如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR「掠奪」其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820 晶元組「失誤事件」、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。
DDR時代
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是「雙倍速率SDRAM」的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鍾信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多採用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鍾上升緣傳輸。
DDR 內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代 DDR200 規范並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400 內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標准，隨後的DDR533 規范則成為超頻用戶的選擇對象。
DDR2時代
隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標准，加上LGA775介面的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其介面將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標准來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、 667MHz等不同的時鍾頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與 RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
PC-100的「接班人」除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重
要的一員。VCM即「虛擬通道存儲器」，這也是目前大多數較新的晶元組支持的一種內存標准，VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種「緩存式DRAM」技術製造而成，它集成了「通道緩存」，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的晶元組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
3．RDRAM
Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100內存的800MB／s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高並不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus 公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規格，採用了新一代高速簡單內存架構，基於一種RISC(Reced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit匯流排，在一個時鍾周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為 (16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一比特是屬於保留比特，可能以後會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鍾可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryMoles，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。
DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到 800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內存模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的 1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。

③ 內存條是什麼意思

內存條是CPU可通過匯流排定址，並進行讀寫操作的電腦部件。內存條在個人電腦歷史上曾經是主內存的擴展。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求，內存條已成為讀寫內存的整體。我們通常所說電腦內存（RAM）的大小，即是指內存條的總容量。

內存條是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數據匯流排對內存定址。歷史上的電腦主板上有主內存，內存條是主內存的擴展。以後的電腦主板上沒有主內存，CPU完全依賴內存條。所有外存上的內容必須通過內存才能發揮作用。內存條分為DRAM和ROM兩種，前者叫動態隨機存儲器，斷電後數據會丟失；後者叫只讀存儲器，斷電後數據不會丟失。

誕生

起初，電腦所使用的內存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用，一旦某一塊內存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實在是太費勁了。後來，電腦設計人員發明了模塊化的條裝內存，每一條上集成了多塊內存IC，相應地，在主板上設計了內存插槽，這樣，內存條就可隨意拆卸了，從此，內存的維修和擴充都變得非常方便。

發展

內存晶元的狀態一直沿用到286初期，鑒於它存在著無法拆卸更換的弊病，這對於計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒於此，內存條便應運而生了。將內存晶元焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝更換的問題徹底解決了。

在80286主板發布之前，內存並沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對於當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟體程序的處理需要。不過隨著軟體程序和新一代80286硬體平台的出現，程序和硬體對內存性能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了「內存條」概念。

在80286主板剛推出的時候，內存條採用了SIMM（Single In-lineMemory Moles，單邊接觸內存模組）介面，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖。

隨後，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。

EDO DRAM（Extended Date Out RAM，內存ddr,ddrii,ddr3的區別低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由於最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從800Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：

1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。

2．採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。

3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。

DDR4時代

DDR4內存將會擁有兩種規格。其中使用Single-endedSignaling信號的DDR4內存其傳輸速率已經被確認為1.6～3.2Gbps，而基於差分信號技術的DDR4內存其傳輸速率則將可以達到6.4Gbps。由於通過一個DRAM實現兩種介面基本上是不可能的，因此DDR4內存將會同時存在基於傳統SE信號和差分信號的兩種規格產品。

根據多位半導體業界相關人員的介紹，DDR4內存將會是Single-endedSignaling( 傳統SE信號)方式DifferentialSignaling( 差分信號技術 )方式並存。預計這兩個標准將會推出不同的晶元產品，因此在DDR4內存時代我們將會看到兩個互不兼容的內存產品

④ DRAM內存概念股有哪些

DRAM內存概念股有：紫光國芯（002049）、長電科技（600584）、深科技（000021）、華天科技（002185）。

⑤ 關於內存概念一個菜鳥級的問題，請高手指教

主板至少兩個內存抄插槽，兩個槽並不一定是雙通道。目的是可以插兩根內存。雙通道主板內存插槽是偶數，不是兩個，就是四個。兩個一組。雙通道的概念就是內存的速度要快一些，對於我們普通使用者來說，是很難感受到的。雙通道需要主板晶元組的支持，需要插兩根參數一樣的內存才能夠實現。

⑥ 請通俗的解釋一下內存的概念。

內存是臨時存數據的，一斷電就沒了，
硬碟是長期存數據的，永遠都在

⑦ 內存概念股有哪些

根據雲財經智能題材挖掘技術自動匹配
內存概念的龍頭股的主要有朗科科技,深科技 ,太極實業

⑧ 漲停概念和熱點概念有什麼區別

漲停概念和熱點概念，他們的區別就是在於他們的熱點情況不一樣，所以他們還是有區別的。

⑨ 快閃記憶體概念股有哪些

一共有7隻，今日快閃記憶體概念股平均漲幅為-0.11%，快閃記憶體概念目前市場關注度為65。

快閃記憶體相關股票

⑩ DRAM內存概念股有哪些

DRAM內存概念股
DRAM內存概念股：紫光國芯（002049）、長電科技（600584）、深科技（000021）、華天科技（002185）