英諾賽科合作上市公司

Ⅰ 中國氮化鎵生產十大企業

中國氮化鎵生產十大企業如下：

1、中國蘇州能訊

2007年成立，能訊半導體採用整合設計與製造（IDM）的模式，自主開發了氮化鎵材料生長、晶元設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術。

產品：氮化鎵射頻功率晶體管、無線通信氮化鎵射頻功放管、氮化鎵HEMT管。

芯技術和應用：能訊氮化鎵功放管產品在寬頻信號下輸出高效率和高增益，應用簡單，適合LTE、4G、5G等移動通信的超寬頻功放應用。

氮化鎵HEMT管芯可支持客戶DC-6GHz以內的超寬頻應用，功率密度、效率及可靠性業內領先，適合應用於緊湊型射頻放大模塊、通用或個人通訊子系統。

2、蘇州晶湛

2012年成立，位於蘇州納米城，致力於氮化鎵（GaN）外延材料的研發和產業化。截至目前，晶湛半導體已完成A+輪融資，用於擴大生產規模。

產品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技術及應用：硅基、藍寶石基和碳化硅基氮化鎵外延片產品有著極高的電子遷移率和二維電子氣濃度、極小的緩沖層漏電。應用於微波射頻和電力電子領域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化鎵晶圓材料。

3、珠海英諾賽科

成立於2015年12月，引進美國英諾賽科公司SGOS技術。

產品：單管GaN FET，半橋GaN FET、GaN IC。

技術及應用：8英寸硅基氮化鎵產業化平台，具有完善的氮化鎵外延生長、無金硅CMOS兼容工藝製造、自有可靠性測試與失效分析能力。應用於激光雷達、無線充電和快充、數據中心、5G通信、人工智慧、新能源汽車。

4、重慶華潤微

2000年成立，以銷售額計，公司是2018年前十大中國半導體企業中唯一一家以IDM模式為主運營的半導體企業。

產品：8英寸硅基氮化鎵生產線，國內首個8英寸600V/10A GaN功率器件產品技術及應用：聚焦於功率半導體、智能感測器領域，為客戶提供系列化的半導體產品與服務。

5、杭州士蘭微

成立於1997年9月，總部在中國杭州。

2003年上市產品：國內知名IDM企業，建設6英寸硅基氮化鎵功率器件中試線。

6、重慶聚力成

2018年9月成立，於重慶市大足區建設硅基氮化鎵（GaN-on-Si)外延片基地。

產品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圓材料、GaN功率器件。

技術及應用：目前，GLC於重慶市大足區建設第一期硅基氮化鎵（GaN-on-Si)外延片工廠，現今外延片已進入量產階段，整個項目計劃建成年產能12萬片的氮化鎵外延片產線和年產能36萬片的氮化鎵晶元生產和封測產線。

7、台灣積體電路製造

成立於1987年，2019年，台積公司及其子公司所擁有及管理的年產能超過一千二百萬片十二吋晶圓約當量。

產品技術：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集團

於2000年11月成立，坐落於廈門。

產品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技術及應用：三安集成的氮化鎵（GaN）E-HEMT技術服務於消費者和工業應用，如適配器／充電器，電信／伺服器smp，無線電源，車載充電器（OBC)和成本有效的解決方案。

9、蘇州捷芯威

成立於2013年，海外歸國人員創辦於蘇州工業園區，捷芯威子公司在氮化鎵電力電子技術領域，擁有百餘項國內外發明專利。專利布局包括材料、器件、工藝和應用；區域覆蓋中國、美國、歐洲、日本等。

產品：硅基氮化鎵電力電子器件、藍寶石基氮化鎵電力電子器件技術及應用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，導通電阻Ron＜0.15Ω。可以應用於PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、無線電能傳輸、電源適配器、無線電源和快充領域。

單管耐壓超過2000V的藍寶石基氮化鎵高壓保護開關器件，單管耐壓2000V，開態時導通電阻低於1Ω，且關態時漏電低於1uA/mm。

10、大連芯冠

2016年3月17日成立於大連高新區，公司採用整合設計與製造（IDM）的商業模式。

產品：硅基氮化鎵外延片、硅基氮化鎵電力電子器件。

技術及應用：已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產線。2019年3月，芯冠科技在國內率先推出符合產業化標準的650伏硅基氮化鎵功率器件產品（通過1000小時HTRB可靠性測試），並正式投放市場。