① 上市公司三安光電股價最高是多少三安光電600703分析三安光電股票牛叉股診
半導體概念想來大夥都有一定的了解，蔡經理以及很多機構的投資者都很看好，最看好的還是蔡經理。半導體的概念之中，三安光電實際上是我們國內的光電領域中的榜首之位，而且也被不少的人都關注了，下面我來詳細分析一下這只股票值不值得投資。
在開始分析三安光電的這段時間，我要給大家奉上一份光學光電子行業龍頭股名單，點擊就可以直接閱讀：寶藏資料！光學光電子行業龍頭股一欄表
一、從公司角度來看
公司介紹：三安光電股份有限公司主要目標就是實現化合物半導體材料的研發與應用,以砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、晶元為核心主業。公司為國家人事部認證的博士後工作站及國家級企業技術中心，公司曾經被授予國家科學技術進步獎一等獎,二等獎等多個獎項。公司已經成為國家科技部及信息產業部認定的"半導體照明工程龍頭企業"。公司現擁有MOCVD設備產能規模居國內首位。簡單為大家講解了三安光電後，下面我們從三安光電的優勢開始分析，看看它還值不值得投資。
亮點一：LED晶元龍頭，加速布局化合物半導體
三安光電是全球LED晶元龍頭企業，經過多年發展，已形成全品類完整布局。公司在LED行業有著壓倒性優勢，在2020年營收就達到84.54億元，同比增長13.32%，領先第二名晶元光電一倍以上。
2014年公司出現在以第三代半導體為主的化合物半導體領域的道路上，現在成功布局了氮化鎵、砷化鎵、氮化硅、等多種化合物半導體。營收額增長迅猛的化合物半導體平台-三安集成已從2017年的2594萬元增長到2020年的9.74億元。隨著公司布局的持續化、快速化，化合物半導體有望推動公司業績再攀高峰，
亮點二：Mini LED需求增加，公司持續受益
三星、LG、TCL、小米等企業相繼推出Mini LED背光電視,蘋果推出搭載 Mini-LED 背光屏 iPad Pro 產品，Mini LED或迎來大規模應用。在Mini LED方面，公司處於行業領先水平，已成為三星首要供應商並實現批量供貨。另外，湖北三安 Mini/Micro顯示晶元產業化項目部分產能也已投產運行，隨著產能的進一步釋放，公司營收規模和盈利能力將會持續改善。
由於篇幅所剩不多，關於三安光電的深度報告和風險提示太多了，我把它歸納在這篇研報中，點擊即可查看：【深度研報】三安光電點評，建議收藏！
二、從行業角度看
十四五規劃提到要對人工智慧、量子信息、集成電路等項目進行扶持，這個無疑是利好。近年來，美國不斷聯合另其他家封鎖中國的高科技發展，格外限制出口中國的設備、技術，由此也就放大了半導體技術國產化在國內市場的需求，也側面推動了國內半導體全產業鏈的發展。還有就是，從2020年開始，行業的需求明顯變強了，行業正在度過低谷翻開景氣周期的新篇章，同時，Mini LED加速滲透，未來幾年行業將迎來爆發，三安光電作為LED晶元的第一企業，發展飛速。
總而言之，三安光電公司的能力是非常強大的，疊加行業的快速發展，有進一步上升的空間。但是文章具有一定的滯後性，如果想更准確地知道三安光電未來行情，想進一步了解診投，直接點擊鏈接，了解一下三安光電估值的高低：【免費】測一測三安光電現在是高估還是低估？
應答時間：2021-10-06，最新業務變化以文中鏈接內展示的數據為准，請點擊查看
② 半導體材料(物理名詞)詳細資料大全
半導體材料（semiconctor material）是一類具有半導體性能（導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來製作半導體器件和積體電路的電子材料。
基本介紹
- 中文名 ：半導體材料
- 外文名 ：semiconctor material
- 分類 ：電子材料
- 導電能力 ：介於導體與絕緣體之間
- 電阻率 ：1mΩ·cm～1GΩ·cm
- 作用 ：可用來製作半導體器件和積體電路
- 特性 ：半導體電導率隨溫度的升高而升高
簡介,主要種類,新型材料,實際運用,相關材料,特性信息,特性參數,特性要求,材料工藝,套用發展,早期套用,發展現狀,戰略地位,
簡介
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標不可用，暫用當前描述）。在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而升高，這與金屬導體恰好相反。 凡具有上述兩種特徵的材料都可歸入半導體材料的范圍。反映半導體內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用於半導體而引起的物理效應和現象，這些可統稱為半導體材料的半導體性質。構成固態電子器件的基體材料絕大多數是半導體，正是這些半導體材料的各種半導體性質賦予各種不同類型半導體器件以不同的功能和特性。半導體的基本化學特徵在於原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特徵的典型是在晶格結構上表現為四面體結構,所以典型的半導體材料具有金剛石或閃鋅礦(ZnS)的結構。 由於地球的礦藏多半是化合物，所以最早得到利用的半導體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用於無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流器，閃鋅礦(ZnS)是熟知的固體發光材料，碳化矽(SiC)的整流檢波作用也較早被利用。硒(Se)是最早發現並被利用的元素半導體，曾是固體整流器和光電池的重要材料。元素半導體鍺（Ge）放大作用的發現開辟了半導體歷史新的一頁，從此電子設備開始實現電晶體化。中國的半導體研究和生產是從1957年首次制備出高純度(99.999999%～99.9999999%) 的鍺開始的。採用元素半導體矽（Si）以後，不僅使電晶體的類型和品種增加、性能提高，而且迎來了大規模和超大規模積體電路的時代。以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的發現促進了微波器件和光電器件的迅速發展。
半導體材料 主要種類
半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。 元素半導體 在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布著11種具有半導性 的元素，下表的黑框中即這11種元素半導體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導體兩種形態;B、Si、Ge、Te具有半導性；Sn、As、Sb具有半導體與金屬兩種形態。P的熔點與沸點太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實用價值不大。As、Sb、Sn的穩定態是金屬，半導體是不穩定的形態。B、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用。因此這11種元素半導體中只有Ge、Si、Se 3種元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半導體材料中套用最廣的兩種材料。
半導體材料 無機化合物半導體 分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結構。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，典型的代表為GaAs。它們都具有閃鋅礦結構,它們在套用方面僅次於Ge、Si,有很大的發展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料。ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結構。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結構。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導體，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的套用范圍方面起很大作用。
半導體材料 三元系包括：族:這是由一個Ⅱ族和一個Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中兩個Ⅲ族原子所構成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：這是由一個Ⅰ族和一個Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中兩個Ⅱ族原子所構成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：這是由一個Ⅰ族和一個Ⅴ族原子去替代族中兩個Ⅲ族原子所組成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，還有它的結構基本為閃鋅礦的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更復雜的無機化合物。 有機化合物半導體 已知的有機半導體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導體尚未得到套用。 非晶態與液態半導體 這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。
新型材料
其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用於製造現代電子設備中廣泛使用的場效應電晶體。 科學家們表示，最新研究有望讓人造皮膚、智慧型綳帶、柔性顯示屏、智慧型擋風玻璃、可穿戴的電子設備和電子牆紙等變成現實。 昂貴的原因主要因為電視機、電腦和手機等電子產品都由矽製成，製造成本很高;而碳基(塑膠)有機電子產品不僅製造方便、成本低廉，而且輕便柔韌可彎曲，代表了「電子設備無處不在」這一未來趨勢。 以前的研究表明，碳結構越大，其性能越優異。但科學家們一直未曾研究出有效的方法來製造更大的、穩定的、可溶解的碳結構以進行研究，直到此次祖切斯庫團隊研製出這種新的用於製造電晶體的有機半導體材料。 有機半導體是一種塑膠材料，其擁有的特殊結構讓其具有導電性。在現代電子設備中，電路使用電晶體控制不同區域之間的電流。科學家們對新的有機半導體材料進行了研究並探索了其結構與電學屬性之間的關系。
實際運用
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。 所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個「9」以上，最高達11個「9」以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學組成進行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進行提純，再將提純後的化合物還原成元素，稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發、區域精製、拉晶提純等，使用最多的是區域精製。化學提純的主要方法有電解、絡合、萃取、精餾等，使用最多的是精餾。由於每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料。
半導體材料 絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法套用最廣，80%的矽單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的，其中矽單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產出高均勻性矽單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純矽單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。 在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法製成。
相關材料
單晶制備 為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般採用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由於制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較好的單晶。具體的制備方法有：①從熔 體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸並向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶。前兩種方法用來生長體單晶，用提拉法已經能制備直徑為200毫米,長度為1～2米的鍺、矽單晶體。後兩種方法主要用來生長薄層單晶。這種薄層單晶的生長一般稱外延生長，薄層材料就生長在另一單晶材料上。這另一單晶材料稱為襯底，一方面作為薄層材料的附著體，另一方面即為單晶生長所需的籽晶。襯底與外延層可以是同一種材料(同質外延)，也可以是不同材料（異質外延）。採用從溶液中再結晶原理的外延生長方法稱液相外延；採用從汽相中生長單晶原理的稱汽相外延。液相外延就是將所需的外延層材料(作為溶質，例如GaAs)，溶於某一溶劑（例如液態鎵）成飽和溶液，然後將襯底浸入此溶液，逐漸降低其溫度，溶質從過飽和溶液中不斷析出，在襯底表面結晶出單晶薄層。汽相外延生長可以用包含所需材料為組分的某些化合物氣體或蒸汽通過分解或還原等化學反應淀積於襯底上，也可以用所需材料為源材料，然後通過真空蒸發、濺射等物理過程使源材料變為氣態，再在襯底上凝聚。分子束外延是一種經過改進的真空蒸發工藝。利用這種方法可以精確控制射向襯底的蒸氣速率，能獲得厚度只有幾個原子厚的超薄單晶，並可得到不同材料不同厚度的互相交疊的多層外延材料。非晶態半導體雖然沒有單晶制備的問題，但制備工藝與上述方法相似，一般常用的方法是從汽相中生長薄膜非晶材料。
半導體材料 寬頻隙半導體材料 氮化鎵、碳化矽和氧化鋅等都是寬頻隙半導體材料，因為它的禁頻寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化矽可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鑽探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要套用。廣播電台、電視台，唯一的大功率發射管還是電子管，沒有被半導體器件代替。這種電子管的壽命只有兩三千小時，體積大，且非常耗電；如果用碳化矽的高功率發射器件，體積至少可以減少幾十到上百倍，壽命也會大大增加，所以高溫寬頻隙半導體材料是非常重要的新型半導體材料。
半導體材料 這種材料非常難生長，矽上長矽，砷化鎵上長GaAs，它可以長得很好。但是這種材料大多都沒有塊體材料，只得用其它材料做襯底去長。比如說氮化鎵在藍寶石襯底上生長，藍寶石跟氮化鎵的熱膨脹系數和晶格常數相差很大，長出來的外延層的缺陷很多，這是最大的問題和難關。另外這種材料的加工、刻蝕也都比較困難。科學家正在著手解決這個問題，如果這個問題一旦解決，就可以提供一個非常廣闊的發現新材料的空間。
低維半導體材料 實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不願意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和製造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物感測器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和套用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式，也必將改變社會政治格局和戰爭的對抗形式。這也是為什麼人們對發展納米半導體技術非常重視的原因。 電子在塊體材料里，在三個維度的方向上都可以自由運動。但當材料的特徵尺寸在一個維度上比電子的平均自由程相比更小的時候，電子在這個方向上的運動會受到限制，電子的能量不再是連續的，而是量子化的，我們稱這種材料為超晶格、量子阱材料。量子線材料就是電子只能沿著量子線方向自由運動，另外兩個方向上受到限制；量子點材料是指在材料三個維度上的尺寸都要比電子的平均自由程小，電子在三個方向上都不能自由運動，能量在三個方向上都是量子化的。
半導體材料 由於上述的原因，電子的態密度函式也發生了變化，塊體材料是拋物線，電子在這上面可以自由運動；如果是量子點材料，它的態密度函式就像是單個的分子、原子那樣，完全是孤立的 函式分布，基於這個特點，可製造功能強大的量子器件。 大規模積體電路的存儲器是靠大量電子的充放電實現的。大量電子的流動需要消耗很多能量導致晶片發熱，從而限制了集成度，如果採用單個電子或幾個電子做成的存儲器，不但集成度可以提高，而且功耗問題也可以解決。雷射器效率不高，因為雷射器的波長隨著溫度變化，一般來說隨著溫度增高波長要紅移，所以光纖通信用的雷射器都要控制溫度。如果能用量子點雷射器代替現有的量子阱雷射器，這些問題就可迎刃而解了。
半導體材料 基於GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已經發展得很成熟，廣泛地套用於光通信、移動通訊、微波通訊的領域。量子級聯雷射器是一個單極器件，是近十多年才發展起來的一種新型中、遠紅外光源，在自由空間通信、紅外對抗和遙控化學感測等方面有著重要套用前景。它對MBE制備工藝要求很高，整個器件結構幾百到上千層，每層的厚度都要控制在零點幾個納米的精度，中國在此領域做出了國際先進水平的成果；又如多有源區帶間量子隧穿輸運和光耦合量子阱雷射器，它具有量子效率高、功率大和光束質量好的特點，中國已有很好的研究基礎；在量子點（線）材料和量子點雷射器等研究方面也取得了令國際同行矚目的成績。
半導體材料 材料中的雜質和缺陷 雜質控制的方法大多數是在晶體生長過程中同時摻入一定類型一定數量的雜質原子。這些雜質原子最終在晶體中的分布，除了決定於生長方法本身以外，還決定於生長條件的選擇。例如用提拉法生長時雜質分布除了受雜質分凝規律的影響外，還受到熔體中不規則對流的影響而產生雜質分布的起伏。此外,無論採用哪種晶體生長方法,生長過程中容器、加熱器、環境氣氛甚至襯底等都會引入雜質，這種情況稱自摻雜。晶體缺陷控制也是通過控制晶體生長條件（例如晶體周圍熱場對稱性、溫度起伏、環境壓力、生長速率等）來實現的。隨著器件尺寸的日益縮小，對晶體中雜質分布的微區不均勻和尺寸為原子數量級的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心設計，嚴格控制生長條件以滿足對半導體材料中雜質、缺陷的各種要求是半導體材料工藝中的一個中心問題。
特性信息
特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁頻寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁頻寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部的載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然，對於非晶態半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數的。
半導體材料 特性要求
半導體材料的特性參數對於材料套用甚為重要。因為不同的特性決定不同的用途。
半導體材料 電晶體對材料特性的要求 ：根據電晶體的工作原理，要求材料有較大的非平衡載流子壽命和載流子遷移率。用載流子遷移率大的材料製成的電晶體可以工作於更高的頻率（有較好的頻率回響）。晶體缺陷會影響電晶體的特性甚至使其失效。電晶體的工作溫度高溫限決定於禁頻寬度的大小。禁頻寬度越大，電晶體正常工作的高溫限也越高。 光電器件對材料特性的要求：利用半導體的光電導（光照後增加的電導）性能的輻射探測器所適用的輻射頻率范圍與材料的禁頻寬度有關。材料的非平衡載流子壽命越大，則探測器的靈敏度越高，而從光作用於探測器到產生回響所需的時間(即探測器的弛豫時間)也越長。因此，高的靈敏度和短的弛豫時間二者難於兼顧。對於太陽能電池來說，為了得到高的轉換效率，要求材料有大的非平衡載流子壽命和適中的禁頻寬度(禁頻寬度於1.1至1.6電子伏之間最合適)。晶體缺陷會使半導體發光二極體、半導體雷射二極體的發光效率大為降低。 溫差電器件對材料特性的要求：為提高溫差電器件的轉換效率首先要使器件兩端的溫差大。當低溫處的溫度（一般為環境溫度）固定時，溫差決定於高溫處的溫度，即溫差電器件的工作溫度。為了適應足夠高的工作溫度就要求材料的禁頻寬度不能太小，其次材料要有大的溫差電動勢率、小的電阻率和小的熱導率。
材料工藝
半導體材料特性參數的大小與存在於材料中的雜質原子和晶體缺陷有很大關系。例如電阻率因雜質原子的類型和數量的不同而可能作大范圍的變化，而載流子遷移率和非平衡載流子壽命 一般隨雜質原子和晶體缺陷的增加而減小。另一方面，半導體材料的各種半導體性質又離不開各種雜質原子的作用。而對於晶體缺陷，除了在一般情況下要盡可能減少和消除外，有的情況下也希望控制在一定的水平，甚至當已經存在缺陷時可以經過適當的處理而加以利用。為了要達到對半導體材料的雜質原子和晶體缺陷這種既要限制又要利用的目的，需要發展一套制備合乎要求的半導體材料的方法，即所謂半導體材料工藝。這些工藝大致可概括為提純、單晶制備和雜質與缺陷控制。
半導體材料 半導體材料的提純「主要是除去材料中的雜質。提純方法可分化學法和物理法。化學提純是把材料製成某種中間化合物以便系統地除去某些雜質，最後再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重復移動多次後，雜質富集於錠條的兩端。去掉兩端的材料，剩下的即為具有較高純度的材料（見區熔法晶體生長）。此外還有真空蒸發、真空蒸餾等物理方法。鍺、矽是能夠得到的純度最高的半導體材料，其主要雜質原子所佔比例可以小於百億分之一。
套用發展
早期套用
半導體的第一個套用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極體（也俗稱貓鬍子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。
半導體材料 從1907年到1927年，美國的物理學家研製成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研製成功硒光伏電池。1932年，德國先後研製成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導體紅外探測器，在二戰中用於偵探飛機和船艦。二戰時盟軍在半導體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵探到了德國的飛機。
發展現狀
相對於半導體設備市場，半導體材料市場長期處於配角的位置，但隨著晶片出貨量增長，材料市場將保持持續增長，並開始擺脫浮華的設備市場所帶來的陰影。按銷售收入計算， 日本保持最大半導體材料市場的地位。然而台灣、ROW、韓國也開始崛起成為重要的市場，材料市場的崛起體現了器件製造業在這些地區的發展。晶圓製造材料市場和封裝材料市場雙雙獲得增長，未來增長將趨於緩和，但增長勢頭仍將保持。
半導體材料 美國半導體產業協會(SIA)預測，2008年半導體市場收入將接近2670億美元，連續第五年實現增長。無獨有偶，半導體材料市場也在相同時間內連續改寫銷售收入和出貨量的記錄。晶圓製造材料和封裝材料均獲得了增長，預計今年這兩部分市場收入分別為268億美元和199億美元。 日本繼續保持在半導體材料市場中的領先地位，消耗量占總市場的22%。2004年台灣地區超過了北美地區成為第二大半導體材料市場。北美地區落後於ROW(RestofWorld)和韓國排名第五。ROW包括新加坡、馬來西亞、泰國等東南亞國家和地區。許多新的晶圓廠在這些地區投資建設，而且每個地區都具有比北美更堅實的封裝基礎。 晶片製造材料佔半導體材料市場的60%，其中大部分來自矽晶圓。矽晶圓和光掩膜總和占晶圓製造材料的62%。2007年所有晶圓製造材料，除了濕化學試劑、光掩模和濺射靶，都獲得了強勁增長，使晶圓製造材料市場總體增長16%。2008年晶圓製造材料市場增長相對平緩，增幅為7%。預計2009年和2010年，增幅分別為9%和6%。 半導體材料市場發生的最重大的變化之一是封裝材料市場的崛起。1998年封裝材料市場佔半導體材料市場的33%，而2008年該份額預計可增至43%。這種變化是由於球柵陣列、晶片級封裝和倒裝晶片封裝中越來越多地使用碾壓基底和先進聚合材料。隨著產品便攜性和功能性對封裝提出了更高的要求，預計這些材料將在未來幾年內獲得更為強勁的增長。此外，金價大幅上漲使引線鍵合部分在2007年獲得36%的增長。 與晶圓製造材料相似，半導體封裝材料在未來三年增速也將放緩，2009年和2010年增幅均為5%，分別達到209億美元和220億美元。除去金價因素，且碾壓襯底不計入統計，實際增長率為2%至3%。
戰略地位
20世紀中葉，單晶矽和半導體電晶體的發明及其矽積體電路的研製成功，導致了電子工業革命；20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs雷射器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展並逐步形成了高新技術產業，使人類進入了資訊時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研製成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與製造從「雜質工程」發展到「能帶工程」。納米科學技術的發展和套用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和製造功能強大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變人們的生活方式。
③ 華為入股雲南鍺業是真是假
假的。華為接觸的幾個多的企業包括雲南儲業、金宏氣體、萬業企業、富臨精工、上海電氣等等，後面幾個市值都太大了，暫時不作為考慮對象。市值最小且最容易發力的是在材料這塊的布局就是雲南鍺業了。公司控股子公司有年產5萬片兩英寸磷化銦單晶片項目，目前GaAs單晶片產能為80萬片/年(摺合4英寸)，且下屬子公司是雲南重點發展項目，和華為走的比較近。
拓展資料：
與華為鬧「緋聞」 2019年8月初，《昆明日報》報道，雲南鍺業控股子公司雲南鑫耀試生產的6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片經華為海思測試驗證和現場核查，成為華為上游產業鏈的一環。雲南鍺業董事長包文東說，「能跟華為開展合作，對雲南鍺業的發展是一次很大的提升。」昆明市工信局局長趙小平表示，「雲南鍺業和華為的合作項目投資初期達到5億元。」 隨後，上述消息被多家媒體、投資者轉載，雲南鍺業也被列入華為概念股。公司股價自8月至9月下旬上漲50%。
《科創板日報》記者注意到，2019年8月以來，深交所互動易平台上有關雲南鍺業與華為合作事宜的提問達40多次。但公司自始至終表示，華為到公司考察只是正常走訪，目前子公司並未收到華為訂單，未來是否取得訂單尚不確定，也無合作開發新材料事項。針對「與華為的合作項目投資初期達到5億元」，公司也明確表示，與華為並無涉及該金額的合作項目。
但後期多數時候公司未再正面否認，僅表示華為到公司考察是正常走訪，並未涉及按規定需公開披露的具體事項；因涉及相關經營細節或當前不能確定的未來事項，公司暫時不便披露；子公司太陽能電池用鍺晶片、磷化銦單晶片建設項目的實施，主要是結合下游需求及市場發展情況進行，並非僅針對某一客戶進行。
針對投資者具體問題邏輯和語境的回復，但「言者無心，聽者有意」，不免進一步勾起有關公司與華為合作的想像。
④ 威科賽樂是上市公司嗎
威科賽樂微電子股份有限公司於貳零壹捌年注冊成立，公司地址：重慶市萬州經開區高峰園（萬州經開區），主要經營銷售磷化銦、單晶鍺、氮化鎵、氧化鎵、碳化硅化合物半導體晶片，襯底，外延片，晶元，高純鍺、氧化硼，光電模組、光電器件、光電系統、電子元器件、半導體設備及相關技術咨詢、技術轉讓、技術服務。（須經審批的經營項目，取得審批後方可從事經營） 企業類型：股份有限公司
⑤ 華為概念 激光雷達 自動駕駛 典型股——雲南鍺業
公司主要業務為鍺礦開采、火法富集、濕法提純、區熔精煉、精深加工及研究開發。目前公司礦山開採的礦石及粗加工產品不對外銷售，僅作為公司及子公司下游加工的原料。
公司目前材料級鍺產品主要為區熔鍺錠、二氧化鍺；深加工方面，光伏級鍺產品主要為太陽能鍺晶片，紅外級鍺產品主要為紅外級鍺單晶（光學元件）、鍺鏡片、鏡頭、紅外熱像儀，光纖級鍺產品為光纖用四氯化鍺，非鍺半導體材料級產品主要為砷化鎵晶片、磷化銦晶片（磷化銦晶片主要用於生產光通信用激光器和探測器）。
公司產品主要運用包括紅外光學、太陽能電池、光纖通訊、發光二極體、垂直腔面發射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探測器等領域。
公司材料級產品區熔鍺錠產能為：47.60噸/年，太陽能鍺晶片產能為30萬片/年（4英寸），光纖用四氯化鍺產能為60噸/年，紅外光學鍺鏡頭產能為3.55萬套/年，砷化鎵晶片產能為80萬片/年（2-4英寸），磷化銦晶片產能為10萬片/年（2-4英寸）。
2021公司及子公司主要生產計劃如下：生產區材料級鍺產品26噸（不含內部代加工），生產紅外級鍺產品3噸（金屬量）、紅外鏡頭3000具，生產光伏級鍺產品20.50萬片（4-6英寸），生產光纖級鍺產品27噸，生產砷化鎵晶片（低位錯、半絕緣）17.67萬片（1-6英寸），生產磷化銦晶片5.25萬片（2-4英寸）。
所需原料主要由自有礦山供應及外購原料補充，輔助材料則由外部供應。全資子公司雲南東昌金屬加工有限公司的原輔料、控股子公司雲南鑫耀半導體材料有限公司則由外部采購；
下游深加工產品方面，公司分別設立子公司負責不同系列的鍺產品生產。
昆明雲鍺高新技術有限公司負責紅外系列鍺產品生產，
雲南中科鑫圓晶體材料有限公司負責光伏級鍺產品生產，
武漢雲晶飛光纖材料有限公司負責光纖級鍺產品生產，
雲南鑫耀半導體材料有限公司負責化合物半導體材料生產，
雲南東潤進出口有限公司主要業務為國內貿易，進出口業務。
公司是一家擁有完整產業鏈的鍺行業上市公司，擁有豐富、優質的鍺礦資源，鍺產品銷量全國第一，是目前國內最大的鍺系列產品生產商和供應商。
公司礦山截至2009年12月31日，已經探明的鍺金屬保有儲最合計達689.55噸。後公司通過收購采礦權和股權的方式陸續整合五個含鍺礦山，鍺金屬保有儲量增加約250噸，2010年至今，公司礦山累計消耗資源產出金屬量約250.21噸。
行業概況
鍺是一種稀散稀有金屬，在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用，是一種重要的戰略資源。
目前，國外資源供給不足，需要從我國進口鍺產品的情況短期內難以改變，但國內出口產品將由二氧化鍺、金屬鍺向後端深加工產品轉移的趨勢也在逐步加強。
調研
鍺錠，目前價格在低位，7000元/公斤。鍺片，按片賣，摺合成公斤，幾萬/公斤。公司從材料 => 深加工
公司發展從賣鍺礦到賣鍺片，以前鍺片是進口，現在國產了，公司在國內排名第二。
全球鍺儲量8000噸，原生礦120噸，回收40噸
全國鍺儲量3000噸，原生礦100噸，回收20噸
公司鍺儲量600噸，用量20噸，有6個礦山，其中只開了2個
雲南基地產品應用：紅外，光伏
武漢基地產品應用：光纖（做預制棒）
高端光伏用鍺基，三代電池，在空間站用。
轉換效率是硅基的2倍。國內幾家所都在使用所都有用。
光纖產品，國產替代，以前都是比利時進口
紅外產品，鏡片 => 鏡頭 => 系統集成
1992年，海灣戰爭，美軍用紅外鏡頭，夜視鏡頭，鍺的紅外用途才公開昆明雲鍺（二級保密資質）
原料出口，有機鍺，可以用作食品
硅鍺合金，還在理論期
自動駕駛需要紅外。
鑫耀半導體：激光雷達唯一的上市公司（雲南鍺業子公司）
華為哈勃投資
半導體：
磷化銦：產量5萬片，規劃產能15萬片（車載激光雷達用磷化銦襯底）
美股已上市激光雷達企業Luminar激光雷達產品採用的1550nm光源即為磷化銦材料。
砷化鎵：產量30萬片，規劃產能80萬片（軍用微光；掃地機器人，砷化鎵同時用作發射器和探測器）
供給海思在做認證。華為是大客戶，但不是唯一客戶。
三安光電也是客戶之一，做外延片
華為哈勃在激光雷達產業鏈上下游主要投資了5家公司：
上游材料布局一一鑫耀半導體（目前哈勃投資持股23.91%）主要產品包括砷化鎵單晶片、磷化銦單晶片等III-V族半導體襯底片，是垂直腔面發射激光器（VCSEL）、光通信用激光器和探測器的必備原材料。
汽車 乙太網布局——裕太微電子（目前哈勃投資持股9.29%），是國內為數不多擁有自主知識產權的乙太網PHY晶元供應商。現有產品方向包括，乙太網物理層晶元、乙太網交換晶元和乙太網網卡晶元等。 汽車 乙太網是新型 汽車 電子電器架構的主幹網路，乙太網PHY不止用在激光雷達中傳輸點雲數據，在毫米波雷達、智能座艙、自動駕駛域控制器上均有應用。
單光子dToF布局——南京芯視界（目前哈勃投資持股7.66%），公司的單光子 dToF晶元產品可廣泛應用於 汽車 輔助以及自動駕駛激光雷達、機器人定位導航、手機三維成像等領域。單光子dToF技術是未來實現激光雷達小型化、低成本、可量產的一項關鍵技術。
VCSEL技術布局——縱慧芯光（目前哈勃投資持股4.66%），為 汽車 雷達提供V CSEL光源解決方案。縱慧芯光已成功進入華為旗艦手機VCSEL供應鏈。
激光發射模組布局——炬光 科技 （目前哈勃投資持股2.96%，公司已申報科創板），基於半導體激光器和激光光學技術，可以為激光雷達提供激光發射模組以及光學模組。其用於激光雷達面光源的光束擴散器及高峰值功率固態激光雷達光源模塊已於2020年進入量產階段
作者：沸點時報
風險提示：本文所提到的觀點僅代表個人的意見，所涉及標的不作推薦，據此買賣，風險自負。
⑥ 有色金屬「證識深度」
1、焦作萬方、 公司自身為電解鋁生產企業
2、雲鋁股份 、隸屬於雲南國資委；構建了集「鋁土礦開采-水電-鋁-鋁深加工」為一體的完整產業鏈
3、中國鋁業、 母公司的稀土集團是六大稀土集團之一，整合六省份稀土資源；公司構建了以鋁土礦、氧化鋁、電解鋁產品為主體的產業鏈
4、北方稀土、 公司是全球最大的稀土產品供應商和最大的稀土企業集團和稀土產業基地，是我國六大稀土集團之一
5、五礦稀土、 國內最大的南方離子型稀土分離加工企業之一；五礦集團唯一的稀土資產整合平台
6、盛達資源、 國內少有的銀資源儲量超過5000噸的公司；公司目前控股銀都礦業、金山礦業、光大礦業、赤峰金都、東晟礦業等5家礦業子公司
7、洛陽鉬業、 公司擁有剛果（金）第二大的銅鈷礦TFM，銅金屬儲量為471.8萬噸；全球第二大鈷礦商，僅次於礦業巨頭嘉能可
8、盛屯礦業 、公司鈷材料業務以剛果（金）為基地，圍繞鈷礦資源，實現包括「鈷原材料」+「銅鈷冶煉」+「鈷產品貿易」+「鈷材料深加工」+「鈷回收」在內的完整體系
9、南山鋁業、 形成從「熱電-氧化鋁-電解鋁-熔鑄鋁-壓鑄」的完整產業鏈，鋁型材產品產銷量國內領先，承擔了C919大飛機航空鋁材
10、英洛華 、公司主要業務為稀土永磁材料與製品，終端用戶包括蘋果、三星、比亞迪等
11、楚江新材、 中國銅板帶材「十強企業」第一名；公司高精度銅合金板帶材產量占國內市場份額的9.65%，穩居國內第一，進入全球前三位
12、北京利爾、 國內最大的鋼鐵工業用耐火材料整體承包服務商，旗下中興礦業、西陝東山有鎂礦資源，主要用於內部供貨
13、明泰鋁業、 國內鋁加工行業的領軍企業之一，產品涵蓋鋁板帶箔及鋁型材兩大門類
14、怡球資源、 中國鋁資源再生領域的龍頭企業之一；國內僅有的少數幾家鋁合金錠產品在倫敦金屬交易所注冊並能實際交割銷售的生產企業之一
15、華鈺礦業、 主要從事有色金屬勘探、采礦、選礦及貿易業務，主要產品包括鋅精礦、鉛銻精礦（含銀）、銅精礦等
16、廈門鎢業、 公司為贛州豪鵬第一大股東和騰遠鈷業第三大股東，贛州豪鵬、騰遠鈷業為公司電池材料提供了一定的鈷鋰原料保障
17、北礦 科技 、 公司是北京有色金屬研究總院旗下，主營磁性材料和磁器件的研發、生產和銷售
18、雲南鍺業、公司已完成5萬片/年2英寸InP產能建設，還擬投建新一條磷化銦單晶片生產線，建成後將擁有年產15萬片4英寸磷化銦單晶片的能力，還具備4英寸GaAs單晶片產能80萬片/年
19、銀河磁體、 公司是全球粘結釹鐵硼稀土磁體產銷龍頭，產品包括粘結釹鐵硼磁體、釤鈷磁體和熱壓釹鐵硼磁體，全球動盪局勢對稀土板塊帶來反復催化
20、金田銅業、 2020-04上市公司主要產品包括銅產品和燒結釹鐵硼永磁材料兩大類
21、廣晟有色、 公司是廣東省稀土產業集團的唯一稀土上市平台，公司稀土產品包括氧化鑭、氧化鈰、氧化鐠釹、氧化銪等；另外擁有鎢等多個資源
22、盛和資源、 公司擁有稀土礦山開采、稀土分離、金屬冶煉、稀土廢料回收利用完整產業鏈；參股美國Mountain Pass
23、西部礦業、 公司為西部最大的有色金屬礦業公司之一；主要從事銅、鉛、鋅、鐵等基本有色金屬、黑色金屬的采選、冶煉、貿易等業