薄膜晶體管上市公司

⑴ 薄膜晶體管的歷史及現狀

人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(後來被稱為 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;隨後,又涌現了用 CdSe,InSb,Ge 等半導體材料做成的 TFT 器件.二十世紀六十年代,基於低費用,大陣列顯示的實際需求,TFT 的研究廣為興起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 術 2006 年 9 月 首次研製出有源矩陣液晶顯示(AMLCD) ,並用 CdSe TFT 作為開關單元.隨著多晶硅摻雜工藝的發展,1979 年 後來許多實驗室都進行了將 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源層,做成如圖 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃為襯底的研究.二十世紀八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有著極重要的地位,所做成的產品占據了市場絕 大部分份額.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩為半導體材料制備了有機薄膜晶體管(OTFT) ,OTFT 技術從此開 始得到發展.九十年代,以有機半導體材料作為活性層成為新的研究熱點.由於在製造工藝和成本上的優勢,OTFT 被認為將來極可能應用在 LCD,OLED 的驅動中.近年來,OTFT 的研究取得了突破性的進展.1996 年,飛利浦公 司採用多層薄膜疊合法製作了一塊 15 微克變成碼發生器(PCG) ;即使當薄膜嚴重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的無定型金屬氧化物鋯酸鋇作為並五苯有機薄膜晶體管的柵絕 IBM公司用一種新型的具有更高的介電常數 緣層,使該器件的驅動電壓降低了 4V,遷移率達到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell實驗室的 Katz 和他的研究小組制 得了在室溫下空氣中能穩定存在的噻吩薄膜,並使器件的遷移率達到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 實驗室用並五苯單晶製得 這向有機集成 了一種雙極型有機薄膜晶體管, 該器件對電子和空穴的遷移率分別達到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 電路的實際應用邁出了重要的一步.最近幾年,隨著透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半導體材料作為活性 層製作薄膜晶體管,因性能改進顯著也吸引了越來越多的興趣.器件制備工藝很廣泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技術也取得了突破性進展.2003 年,Nomura等人使用單晶 InGaO3 (ZnO)5 獲得了遷移率為 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美國杜邦公司採用真空蒸鍍和掩膜擋板技術在聚醯亞銨柔性襯底上開發了 ZnO-TFT,電 這是在聚醯亞銨柔性襯底上首次研製成功了高遷移率的 ZnO-TFT, 這預示著在氧化物 TFT 子遷移率為 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 領域新競爭的開始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作為活性層製得開關比為 107 薄膜晶體管. H C等人利用 CBD 方法製得開關比為 105 ,遷移率為 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,這也顯示出實際應用的可能.

⑵ 薄膜晶體管的概念

TFT是在基板 (如是應用在液晶顯示器，則基板大多使用玻璃) 上沉積一層薄膜當做通道區。
大部份的TFT是使用氫化非晶硅 (a-Si:H) 當主要材料，因為它的能階小於單晶硅 (Eg =1.12eV)，也因為使用a-Si:H當主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物 (ITO) ，ITO則是透明的材料。
因為TFT基板不能忍受高的退火溫度，所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行。如化學氣相沉積、物理氣相沉積 (大多使用濺鍍技術) 都是常使用的沉積製程。如要製作透明的TFT，第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料，此項技術由奧勒崗州立大學的研究員於2003年時發表。
很多人都知道薄膜晶體管主要的應用是TFT LCD，液晶顯示器技術的一種。晶體管被作在面板里，這樣可以減少各pixel間的互相干擾並增畫面穩定度。大略是從2004年開始，大部份便宜的彩色LCD屏幕都是使用TFT技術的。連在乳線和癌症X-ray檢查的數位X-ray攝影技術上也很常使用TFT面板。
新的AMOLED (主動陣列OLED) 屏幕也內建了TFT層。

⑶ 什麼是第 8.6代薄膜晶體管液晶顯示器件

TFT-LCD是薄膜晶體管液晶顯示器英文Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display字頭的縮寫。薄膜晶體管液晶顯示器技術是一種微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的技術。 把單晶上進行微電子精細加工的技術，移植到在大面積玻璃上進行薄膜晶體管（TFT）陣列的加工，再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板，利用與業已成熟的液晶顯示器（LCD）技術，形成一個液晶盒，再經過後工序如偏光片貼覆等過程，最後形成液晶顯示器件。
TFT-LCD是多數液晶顯示器的一種，它使用薄膜晶體管技術改善影象品質。雖然TFT-LCD被統稱為LCD，不過它是種主動式矩陣LCD。它被應用在電視、平面顯示器及投影機上。
簡單說，TFT-LCD皮膚可視為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶，上層的玻璃基板是與彩色濾光片（Color Filter）、而下層的玻璃則有晶體管鑲嵌於上。當電流通過晶體管產生電場變化，造成液晶分子偏轉，藉以改變光線的偏極性，再利用偏光片決定像素（Pixel）的明暗狀態。此外，上層玻璃因與彩色濾光片貼合，形成每個像素（Pixel）各包含紅藍綠三顏色，這些發出紅藍綠色彩的像素便構成了皮膚上的圖像畫面。

⑷ LED封裝概念股 涉足LED封裝行業上市公司有哪些

涉足LED封裝行業上市公司有哪些？ 在國內約有14 家上市公司涉足該領域，主要包括聯創光電(加入自選股)（600363）、方大A（000055）、長電科技(加入自選股)（600584）、福日電子（600203）、上海科技（600608）、京東方A（000725）、春蘭股份（600854）、澳柯瑪(加入自選股)（600336）、金種子酒(加入自選股)（600199）、煤氣化(加入自選股)（000968）、東湖高新(加入自選股)（600133）、嘉寶集團(加入自選股)（600622）、蘭寶信息（000631）、士蘭微(加入自選股)（600460）等。 中國的LED產業2003年以來快速發展，已覆蓋外延、晶元、封裝、應用產品等上下游產業鏈，「一頭沉」的狀態正在發生改變，中國 LED上游產業得到了較快的發展，其中晶元產業發展最為引人注目。從產業規模看，2006年中國LED產業包括了襯底、外延、晶元、封裝四個環節，總產值達到105.5億元，其中封裝環節產值達到87.5億元。封裝仍是中國LED產業中最大的產業鏈環節，但產值所佔比例相對以前有了很大的改善，並在將來的發展中，晶元占的比重將持續得到提升，封裝環節占的比重將逐年下降。中國LED產業結構正在由較低端的封裝轉向附加值更高、更具核心價值的晶元環節。 國內資本市場上涉及LED產業的上市公司中真正具有一定的產業優勢和投資價值，能夠分享未來行業成長的主要有兩家：聯創光電和士蘭微。聯創光電是 LED的老將，士蘭微是新銳，聯創長於LED封裝和應用，有完善的產業鏈；士蘭微長於LED晶元，在單一領域已經做到國內最優。 主營LED背光顯、LED照明和節能燈的上市公司一覽 [1]、京東方A（000725）：LED背光源 [2]、海信電器(加入自選股)（600060）：國內第一家推出LED液晶電視的企業 [3]、聯創光電（600363）：LED的老將，長於LED封裝和應用，有完善的產業鏈 [4]、TCL集團(加入自選股)（000100）：京東方一直在和TCL等廠家進行合作 [5]、深康佳Ａ(加入自選股)（000016）：國內LED大屏幕顯示領域的領先地位 [6]、同洲電子(加入自選股)（002052）：LED電子顯示屏軟體 相關涉及LED照明的上市公司： [1]、三安光電(加入自選股)（600703）：為中國目前最大、產業鏈最完整、產品最全的LED生產廠商 [2]、聯創光電（600363）：LED的老將，長於LED封裝和應用 [3]、士蘭微（600460）：長於LED晶元，在單一領域已經做到國內最優 [4]、同方股份(加入自選股)（600100）：高亮度半導體發光二極體（LED）晶元的擴大生產以及在特種景觀照明的規模化應用 [5]、方大A（000055）：從LED外延片、晶元到半導體照明產品及工程等終端市場應用 [6]、天富熱電(加入自選股)（600509）：國內唯一的SiC襯底生產企業 [7]、德豪潤達(加入自選股)（002005）：集外延、晶元、封裝、應用於一身 [8]、福日電子（600203）：與中科院半導體研究所合作投資氮化鎵 [9]、長電科技（600584）：公司有望成為世界級的集成電路封裝企業 [10]、澳柯瑪（600336）：LED戶外景觀燈、工業LED應用燈具、民用LED燈具產品等 [11]、煤氣化（ 000968）：新型自主研發產品KL4LM(H)整體式鋰電LED礦燈 [12]、廈門信達(加入自選股)（000701）：超高亮度LED封裝、應用研發與生產 [13]、飛樂音響(加入自選股)（600651）：LED綠色照明 [14]、長江通信(加入自選股)（600345）：自發電LED燈系列、LED走道燈系列、LED日光燈系列 [15]、大族激光(加入自選股)（002008）：LED點陣塊、LED半戶外點陣塊 相關涉及綠色照明（節能燈）的上市公司 [1]、浙江陽光（600261）：公司是目前亞洲最大的節能製造廠商，也是飛利浦貼牌燈的最大生產商 [2]、佛山照明(加入自選股)（000541）：照明產業龍頭企業，開發新一代節能熒光燈 [3]、華微電子(加入自選股)（600360）：節能燈用功率晶體管國內市場佔有率為40%左右 [4]、雪萊特(加入自選股)（002076）：HID車燈和紫外線燈的技術均處於行業領先地位 [5]、拓邦股份(加入自選股)（002139）：高效照明產品及控制器 [6]、法拉電子(加入自選股)（600563）：薄膜電容器作為節能燈配套產品鎮流器的必用元件

⑸ 電致變色玻璃概念有哪些上市公司

1、 洛陽玻璃(證券代碼600876)

1994年3月28日，洛陽玻璃股份有限公司(以下簡稱本公司)由中國洛陽浮法玻璃集團有限責任公司(簡稱洛玻集團公司)獨家發起創立， 1994年4月6日注冊成立。

洛陽玻璃按照中建材集團公司發展新型建材、新型房屋、新能源材料「三新」產業戰略發展要求，確立把洛玻股份打造成高端電子玻璃、光熱玻璃、光伏玻璃等新玻璃、新材料製造商的戰略發展方向，持續開展超薄電子玻璃、超白超薄玻璃、光熱玻璃。

2、藍思科技(證券代碼300433)

藍思科技是一家以研發、生產、銷售高端視窗觸控防護玻璃面板、觸控模組及視窗觸控防護新材料為主營業務的上市公司。

近年來，公司緊跟消費電子產品技術升級帶來的整機更新熱潮，積極跟蹤各大品牌對上游技術要求的發展動態，搶先開發和率先投入，進一步延伸產業鏈，目前公司業務已經覆蓋視窗防護玻璃，觸摸屏單體，觸摸屏模組，攝像頭，按鍵，陶瓷，金屬配件等。產品廣泛應用於手機、平板電腦、筆記本電腦、數碼相機、播放器、GPS導航儀、車載觸控、智能穿戴、智能家居等方面，市場前景廣闊。

公司布局研發3D曲面玻璃時間早在五年之前,目前工藝成熟度處於行業領先,產能遠大於2700萬片/年。

3、凱盛科技(證券代碼600552)

凱盛科技研發了太陽能光伏玻璃、電子信息顯示玻璃、節能玻璃等國際領先的技術並實施產業化，多項技術打破國外壟斷，填補國內空白，滿足了太陽能光伏產業和電子信息產業及建築節能快速發展的需要。

4、合力泰(證券代碼002217)

合力泰科技股份有限公司成立於2004年，注冊資本達31.16億元，是集開發、設計、生產、銷售為一體的液晶顯示、觸控模組、智能硬體產品的製造商和方案商。

公司主要產品橫向布局在液晶顯示模組、觸控模組、攝像頭模組、指紋識別模組、無線充電模組;縱向產業鏈布局蓋板玻璃、FPC，新產品2.5D蓋板玻璃、3D蓋板玻璃，布局電子紙生態鏈;公司提供一站式采購，給終端客戶提供高品質的產品和滿意的服務。

5、山東華鵬（603021）

公司2019上半年實現營業總收入3.7億，同比下降6.6%;實現歸母凈利潤-1195.2萬，2018年同期為298.2萬元，未能維持盈利狀態。報告期內，公司毛利率為21.5%，同比降低1.3個百分點，凈利率為-3.7%。公司2019半年度營業成本2.9億，同比下降5%，低於營業收入6.6%的下降速度，毛利率下降1.3%。

⑹ 薄膜晶體管的作用是什麼

薄膜晶體管簡稱TFT器件，也稱TFT開關管，它是基於場效應管的原理製作而成的，也就是說，TFT器件是一種利用電場效應來控制電流的管子。因為參與導電的只有一種極性的載流子，所以，TFT器件是一種單極性器件。TFT器件也有3個電極，即源極S（相當於三極體的E極）、柵極G（相當於三極體的B極）和漏極D（相當於三極體的C極）。但二者的控制特性卻截然不同，三極體是電流控制器件，通過控制基極電流達到控制集電極電流或發射極電流的目的，即需要信號源提供一定的電流才能工作，因此，它的輸入電阻較低；TFT器件則是電壓控制器件，它的輸出電流決定於輸入電壓的大小，基本上不需要信號源提供電流，所以，它的輸入阻抗很高。此外，TFT器件還具有開關速度快、高頻特性好、熱穩定性好、雜訊小等優點。

⑺ 薄膜晶體管的原理

薄膜晶體管的原理：

1、薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管。它的工作狀態可以利用Weimer表徵的單晶硅MOSFET工作原理來描述。以n溝MOSFET為例，物理結構如圖2。當柵極施以正電壓時，柵壓在柵絕緣層中產生電場，電力線由柵電極指向半導體表面，並在表面處產生感應電荷。隨著柵電壓增加，半導體表面將由耗盡層轉變為電子積累層，形成反型層。

2、當達到強反型時(即達到開啟電壓時)，源，漏間加上電壓就會有載流子通過溝道。當源漏電壓很小時，導電溝道近似為一恆定電阻，漏電流隨源漏電壓增加而線性增大。當源漏電壓很大時，它會對柵電壓產生影響，使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱，半導體表面反型層中電子由源端到漏端逐漸減小，溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加。漏電流增加變得緩慢，對應線性區向飽和區過渡。

3、當源漏電壓增到一定程度，漏端反型層厚度減為零，電壓在增加，器件進入飽和區。在實際LCD生產中，主要利用a-Si：HTFT的開態(大於開啟電壓)對像素電容快速充電，利用關態來保持像素電容的電壓，從而實現快速響應和良好存儲的統一。

⑻ 薄膜晶體管研究方向的研究生畢業好找工作嗎

中科院的研究生畢業後找工作比較容易。中科院的研究生畢業後找工作顯然比不過985了，你要知道，不管是從對人的培養，還是工作，中科院各個專業都沒有法和985相比。我覺得不光是我們所如此。首先說對人的培養，要知道，高等院校，特別是985其學科和專業的設置是比較成熟的，高校的主要任務是教書育人，也就是說其培養模式是成熟的，教學水平是有保證的，一個人在這種環境下容易形成比較完善的知識體系。實踐教學也是如此，盡管中科院條件好，但其實大多數儀器不對學生開放，所以你做的實驗，大部分的儀器都不是自己用，只是把樣品送去而已，但高校不是這樣的，大部分985的各種儀器是對學生開放的，你可以學到很多。一句話，高校培養你，不是光為了讓你幹活，教學本身就是其目的之一。可能你在中科院發了好文章，但你什麼都沒有學會。離開了老師你什麼都不會都不懂。其次，說就業，要知道，高校是很重視學校的就業率的，但研究所會么？他們連招聘會都沒有，而且，你一直要干到畢業，人家出了錢的，你沒有時間出去找工作，這樣其結果是可想而知的。中科院可能在學術界有一定的名氣，但你說一個高校或者事業單位的人事處長會聽說中科院的學術名氣嗎？顯然不會。另外，即便對於工科專業，由於中科院的專業是項目導向的，也就是老師申請下來什麼項目，他就招什麼方向，所以大多數工科方向與工科院校比，市場導向太差了。舉例來說，你學通信的，如果去了電子科技大學，他們的研究方向有什麼移動通信了，通信網路了等等，但你去了中科院的研究所，那個專業方向會偏的嚇人，以至於幾乎對找工作沒什麼幫助，另外高校是要出去進企業實習的，這也是高校的一大優勢。最後，我要說，什麼人來中科院。1是窮的叮當響的人，這種人就是為了補助，而且中科院還不算差，為生計所逼，不得不選這個地方，其實現在完全不必要了，我同學在985讀博的工資都已經3000多了，我還是1600，錢的優勢以後沒有了，中科院再也買不來優秀的窮苦孩子了。2.是本科學校太爛，鑒於中科院的競爭急劇下降，那些985學校的讀本校可以找到好的導師，外面的非985隻能挑剩下的，所以只好考中科院碰碰運氣。畢竟中科院現在已經不太挑學校，也沒有了歧視別人的資本——能招上來就不錯了，要什麼自行車啊。3.這是我最敬佩的一種人，立志於科研事業，不怕苦，不怕累，不求回報，勇於犧牲。的確，中科院實力平均，一般的都能發個不錯的文章，從而使學術生涯有個不錯的起點。但985們完全沒有必要來中科院，本校的好導師不比中科院的好導師差，而且要知道，這些人以後要成為或者已經成為你母校的領導，其含義，已經20多歲的你應該知道——沒什麼比在母校更有利於你發展的地方了，地方保護，朋比為奸，這也是這個圈子裡的特色。

⑼ 什麼是薄膜晶體管

就是將聚合物成膜在電極之間，製成基於聚合物的薄膜晶體管。所用的聚合物具有導電性，其電荷遷移率可以與無機半導體相比。聚合物薄膜晶體管的優勢在於：利用聚合物的優良加工性能和機械性能，薄膜晶體管大面積加工、工藝簡單，因此可以降低加工成本；另一個無機薄膜晶體管所不具備的優勢在於，聚合物薄膜晶體管可以隨意彎曲折疊，因此在國防、軍事等方面有廣泛的用途。

⑽ 國內有哪些企業機構從事與薄膜晶體管相關的科研和生產

科研類的：北京大學薄膜晶體管與先進顯示重點實驗室