① 第三代半導體迎來爆發期
挖掘於板塊個股機會於潛龍勿用時，歷經見龍在田的試盤和或躍在淵的啟動，直到飛龍在天的明牌啟動，以及亢龍有悔之前的離場，這是我們的追求，也是一直趨於接近的。很難，但這並不是放棄的理由！
投資名言：順應趨勢，花全部的時間研究市場的正確趨勢，如果保持一致，利潤就會滾滾而來!--[美]江恩
什麼是半導體?
半導體( semiconctor)，指常溫下 導電性 能介於 導體 (conctor)與 絕緣體 (insulator)之間的 材料 。半導體在 收音機 、 電視機 以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。 半導體 是指一種 導電性 可受控制，范圍可從 絕緣體 至 導體 之間的材料。無論從 科技 或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如 計算機 、 行動電話 或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有 硅 、 鍺 、 砷化鎵 等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
昨天板塊指數放量大漲，逼近前期 歷史 高位，板塊全線爆發，今日雖然板塊會有個分化，但隨著行業的景氣度提升，接下來機構配置的倉位勢必會提高，所以接下來需要特別重視中線級別的布局機會。
第三代半導體概念股：
300708 聚燦光電： 公司目前產品涉及氮化鎵的研發和生產，外延片的技術就是研發氮化鎵材料的生長技術，晶元的技術就是研發氮化鎵晶元的製作技術，目前已經2個漲停，人氣龍頭位置顯現。
300046台基股份： 公司積極布局 IGBT、固態脈沖開關及第三代半導體等前沿領域 昨日下午引爆板塊的中軍人氣股。
688396 華潤微： 第三代半導體方面，公司根據研發進程有序推進碳化硅（SiC）中試生產線建設，目前已按計劃完成第一階段建設目標，利用此建立的基礎條件完成了1200V、650VSiCJBS產品開發和考核 領漲科創板人氣股
300373揚傑 科技 ： 公司主要從事碳化硅晶元器件及封裝環節，不涉及材料領域。目前可批量供應650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。放量上攻，挑戰 歷史 高點
300456賽微電子： 公司全資子公司微芯 科技 投資設立控股子公司海創微芯，主要從事氮化鎵（GaN）器件的設計、開發，目的在於積極布局並把握第三代半導體產業的發展機遇，聚焦相關器件在5G通信、物聯網、航空電子等領域的應用，與公司控股子公司聚能創芯優勢互補並全面協作，提高綜合競爭實力。概念萬金油，接下來最強勢的概念都有涉及。
300131 英唐智控： 英唐微技術生產線改造完成後還將兼備以 SIC-SBD 為主的第三代半導體功率器件的生產，並在持續升級設備和工藝後，逐漸拓展至其他的第三代半導體產品。 一陽盤出底部震盪區間。
688200華峰測控： 在寬禁帶半導體測試方面，公司量產測試技術取得了重大進展，實現了晶圓級多工位並行測試，解決了多個GaN晶圓級測試的業界難題，並已成功量產。 向 歷史 新高進軍
300376 易事特： 易事特作為國家第三代半導體產業技術基地（南方基地）第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位，現主要負責碳化硅、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。公司已經研發出基於碳化硅、氮化鎵器件的高效DC/AC, 雙向DC/DC新產品。 一陽盤出底部震盪
300102乾照光電： 公司與深圳第三代半導體研究院的合作是全方位多層次的深度合作，在該平台上研發的技術包括但不僅限於氮化鎵和Micro-LED。 之前人氣領漲股，連續異動2日，盤出震盪格局
600703三安光電：公司擬在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限於碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底製作—外延生長—晶元制備—封裝產業鏈，投資總額 160 億元。 漲停強勢收復近期的調整，行業地位顯著
002993奧海 科技 ： 公司已自主研發出快充氮化鎵產品。氮化鎵充電器屬於第三代半導體領域重要技術產品，公司深耕充電器行業十幾載，具備平台優勢。 超跌後止跌反彈，2連板
002617 露笑 科技 ：公司將與合肥市長豐縣人民政府在合肥市長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園，包括但不限於碳化硅等第三代半導體的研發及產業化項目，包括碳化硅晶體生長、襯底製作、外延生長等的研發生產，項目投資總規模預計 100 億元。 主板最強的趨勢票，創出 歷史 新高
605111新潔能： 公司在第三代半導體方面，已獲得 6 項專利授權，一項國際發明專利受理中。SiC 方面： 預計今年年底之前推出 SiC 二極體系列產品。新能源 汽車 是 SiC功率器件未來最大的應用領域之一， 也是公司未來市場重點布局的方向。 連續2日放量，沖擊前期高點。
603290斯達半導： 公司擬在嘉興斯達半導體股份有限公司現有廠區內，投資建設全碳化硅功率模組產業化項目，本項目計劃總投資 22,947 萬元， 投資建設年產 8 萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心。 高價股，趨勢開始形成，向 歷史 高點蓄勢！
002371北方華創：公司可以提供第三代半導體相關設備，其中碳化硅方面，可以提供長晶爐、外延爐、刻蝕、高溫退火、氧化、PVD、清洗機等設備，氮化鎵方面可以提供刻蝕、PECVD、清洗機等設備。 行業地位顯著，創出 歷史 新高。
600460士蘭微： 公司已建成6英寸的硅基氮化鎵集成電路晶元生產線，涵蓋材料生長、器件研發、 GaN電路研發、封裝、 系統應用的全技術鏈。 行業低位顯著，創出 歷史 新高。
002023海特高新： 海威華芯6吋第二代第三代半導體集成電路晶元生產線項目砷化鎵、氮化鎵半導體晶元生產線竣工環境保護自主驗收工作已完成。 低位超跌首次異動，接下來有修復空間預期。
300623捷捷微電： 公司與中科院電子研究所、西安電子科大合作研發的是以Sic、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件，具有耐高壓、耐高溫、 高速和高效等優點，可大幅降低電能變換中的能量損失，大幅減小和減輕電力電子變換裝置。 趨勢形成，有沖擊新高預期。
688138 清溢光電： 公司深圳工廠在現有產品結構的基礎上積極布局半導體晶元用掩膜版產品，聚焦第三代半導體晶元用掩膜版。 超跌後企穩異動，接下來會有修復預期 。
600509天富能源： 公司已持有北京天科合達半導體股份有限公司 10.657%的股份，成為該公司第二大股東；該公司是從事第三代半導體材料-碳化硅晶片及相關產品研發、生產和銷售的高新技術企業。 趨勢形成，短期有繼續調整前期新高預期。
688556 高測股份： 公司已針對第三代半導體研發了相應的切割設備和切割耗材，正在積極推廣市場. 盤出底部，接下來有修復預期。
600745 聞泰 科技 ： 公司將加大在第三代半導體領域投資，大力發展氮化鎵和碳化硅技術。目前安世氮化鎵功率器件已經通過車規級認證，開始向客戶供貨，碳化硅技術研發也進展順利。 行業地位顯著，盤出底部，有修復預期。
300484 藍海華騰： 公司子公司新余華騰投資出資2,500萬元參與比亞迪半導體的股權投資，有利於實現公司核心原材料如IGBT模塊及晶圓、SiC模塊及晶圓等關鍵技術領域的戰略延伸，以及公司電動 汽車 電機控制器及相關產品的技術推動和產業布局。 盤出底部，有修復預期。
600360 華微電子： 公司積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術，逐步具備向客戶提供整體解決方案的能力。 底部異動2日，盤出底部，有修復預期。
300671富滿電子： 在第三代半導體GaN（氮化鎵）快充領域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（ 65W）主控晶元、PD協議晶元等產品。公司的相關晶元NF7307，具備更高集成度（集成啟動電阻&X電容放電），更出色的性能（優良的Qr特性，更低待機功耗）及更高可靠性（全面的保護機制），已經上市。 最先啟動的個股，底部起來已經三倍，並繼續刷新新高。
300323 華燦光電： 在保持公司在LED領域的領先地位和競爭力的同時，公司持續加大產品研發投入和技術創新，積極布局第三代半導體材料與器件領域，發力GaN基電力電子器件領域 。 連續異動2日，盤出底部，有修復預期。
002079蘇州固鍀：公司目前已經有量產第三代半導體的產品。 震盪走高，有沖擊前期高點預期。
603595 東尼電子： 新建年產12萬片碳化硅半導體材料項目是本公司的項目。：新建年產12萬片碳化硅半導體材料項目是本公司的項目。 震盪盤出底部，有修復預期。
002169智光電氣： 公司認購的廣州譽芯眾誠股權投資合夥企業（有限合夥）份額，間接投資廣州粵芯半導體技術有限公司。粵芯半導體有項目面向第三代半導體碳化硅晶元製造技術，開展「卡脖子」核心裝備研製，重點解決高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技術等難題。 趨勢形成，有望打開空間
002449 國星光電： 公司正布局第三代半導體器件與模組等新技術的開發與研究並已申請多項相關技術專利。 盤出底部，有修復預期。
300123 亞光 科技 ： 都亞光子公司華光瑞芯主營產品為GaN/GaAs功率放大器晶元、GaN高功率功放管芯、低雜訊放大器晶元、 幅相控制多功能晶元（Core-Chip）、數控移相器、數控衰減器、 混頻器等射頻微波晶元。 盤出底部，有修復預期。
002171 楚江新材： 公司子頂立 科技 積極參與相關的原材料制備技術研發，公司在碳化硅單晶方面主要從事SiC單晶中的高純C粉的研製，目前已能實現小批量生產，且關鍵技術指標滿足制備第三代半導體——碳化硅單晶的要求，掌握了將5N及以下的C粉提純到6N及以上，各項關鍵指標滿足高性能碳化硅單晶原料生產的需要，其設備與工藝技術處於國內領先水平。 盤出底部，有修復預期。
300870 歐陸通：氮化鎵為第三代半導體主要材料之一，目前公司使用的氮化鎵技術屬於第三代半導體應用技術，主要應用於公司電源適配器產品中。 盤出底部，有修復預期
300316晶盛機電： 公司開發的碳化硅外延設備，有助於拓展在第三代半導體設備領域的市場布局。 行業地位顯著，趨勢形成， 有新高預期。
第三代半導體的風口已經形成，待震盪消化後，會走出獨立的走勢，行業地位顯著的，會繼續打開市場成長性，而超跌的個股則會在行業大蛋糕下迎來估值修復。
風已起，做好布局，持股待漲。
② 第三代半導體SIC行業投資機會分析：10年20倍成長
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1.1 第三代半導體 SIC 材料的性能優勢
SIC 材料具有明顯的性能優勢。 SiC 和 GaN 是第三代半導體材料，與第一 二代半導體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等 性能優勢，所以又叫寬禁帶半導體材料，特別適用於 5G 射頻器件和高電壓功率 器件。
1.2 SIC 器件的性能優勢
SIC 的功率器件如 SIC MOS，相比於 Si 基的 IGBT，其導通電阻可以做的更 低，體現在產品上面，就是尺寸降低，從而縮小體積，並且開關速度快，功耗相 比於傳統功率器件要大大降低。
在電動車領域，電池重量大且價值量高，如果在 SIC 器件的使用中可以降低 功耗，減小體積，那麼在電池的安排上就更游刃有餘；同時在高壓直流充電樁中 應用 SIC 會使得充電時間大大縮短，帶來的巨大 社會 效益。
根據 Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大 概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升續航能力，或者減少動力電池成本。
1.3.制約產業發展的主要瓶頸在於成本和可靠性驗證
行業發展的瓶頸目前在於 SIC 襯底成本高： 目前 SIC 的成本是 Si 的 4-5 倍， 預計未來 3-5 年價格會逐漸降為 Si 的 2 倍左右，SIC 行業的增速取決於 SIC 產業 鏈成熟的速度，目前成本較高，且 SIC 器件產品參數和質量還未經足夠驗證；
SIC MOS 的產品穩定性需要時間驗證： 根據英飛凌 2020 年功率半導體應用 大會上專家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的時間還非常短，在車載領域才剛 開始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模塊），一些諸如短路耐受時 間等技術指標沒有提供足夠多的驗證，SIC MOS 在車載和工控等領域驗證自己的 穩定性和壽命等指標需要較長時間。
1.4 SIC 產業鏈三大環節
SIC 產業鏈分為三大環節：上游的 SIC 晶片和外延→中間的功率器件的製造 （包含經典的 IC 設計→製造→封裝三個小環節）→下游工控、新能源車、光伏風 電等應用。目前上游的晶片基本被美國 CREE 和 II-VI 等美國廠商壟斷；國內方 面，SiC 晶片商山東天岳和天科合達已經能供應 2 英寸~6 英寸的單晶襯底，且營 收都達到了一定的規模（今年均會超過 2 億元 RMB）；SiC 外延片：廈門瀚天天 成與東莞天域可生產 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。
2.1 應用：新能源車充電樁和光伏等將率先採用
SiC 具有前述所說的各種優勢，是高壓/高功率/高頻的功率器件相對理想的 材料, 所以 SiC 功率器件在新能源車、充電樁、新能源發電的光伏風電等這些對 效率、節能和損耗等指標比較看重的領域，具有明顯的發展前景。
高頻低壓用 Si-IGBT,高頻高壓用 SiC MOS,電壓功率不大但是高頻則用 GaN。 當低頻、高壓的情況下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高頻但是電壓不 是很高，功率不是很高的情況下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高頻又是 高壓的情況下，用 SiC 的 MOSFET 最好。電壓不需要很大，功率不需要很大， 但是頻率需要很高，這種情況下用 GaN 效果最佳。
以新能源車中應用 SIC MOS 為例， 根據 Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升 續航能力，或者減少動力電池成本。
同時 SIC MOS 在快充充電樁等領域也將大有可為。 快速充電樁是將外部交 流電,透過 IGBT 或者 SIC MOS 轉變為直流電, 然後直接對新能源 汽車 電池進行 充電，對於損耗和其自身佔用體積問題也很敏感，因此不考慮成本，SIC MOS 比 IGBT 更有前景和需求，由於目前 SIC 的成本目前是 Si 的 4-5 倍，因此會在 高功率規格的快速充電樁首先導入。在光伏領域，高效、高功率密度、高可靠 和低成本是光伏逆變器未來的發展趨勢，因此基於性能更優異的 SIC 材料的光 伏逆變器也將是未來重要的應用趨勢。
SIC 肖特基二極體的應用比傳統的肖特基二極體同樣有優勢。 碳化硅肖特基 二極體相比於傳統的硅快恢復二極體（SiFRD），具有理想的反向恢復特性。在 器件從正向導通向反向阻斷轉換時，幾乎沒有反向恢復電流，反向恢復時間小 於 20ns，因此碳化硅肖特基二極體可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有 更高的效率。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極體具有正的溫度系數，隨 著溫度的上升電阻也逐漸上升，這使得 SIC 肖特基二極體非常適合並聯實用， 增加了系統的安全性和可靠性。
2.2 空間&增速：SIC 器 件 未來 5-10 年復合 40%增長
IHS 預計未來 5-10 年 SIC 器件復合增速 40%： 根據 IHSMarkit 數據，2018 年碳化硅功率器件市場規模約 3.9 億美元，受新能源 汽車 龐大需求的驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對於效率和功耗要求提升， 預計到 2027 年碳化硅功率器件的市場規模將超過 100 億美元，18-27 年 9 年的復合增速接近 40%。
SIC MOS 器件的滲透率取決於其成本下降和產業鏈成熟的速度 ，根據英飛凌和國內相關公司調研和產業里的專家的判斷來看，SIC MOS 滲透 IGBT 的拐點可能在 2024 年附近。預計 2025 年全球滲透率 25%，則全球有 30 億美金 SIC MOS 器件市場，中國按照 20%滲透率 2025 年則有 12 億美金的 SIC MOS 空間。 即不考慮SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，僅測算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市場預計2025 年全球 30 億美金，相對 2019 年不到 4 億美金有超過 7 倍成長，且 2025-2030 年增速延續。
2.3 格局：SIC 器件的競爭格局
目前，碳化硅器件市場還是以國外的傳統功率龍頭公司為主 ，2017 年全球市場份額佔比前三的是科銳，羅姆和意法半導體，其中 CREE 從 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相當於其擁有了從上游 SIC 片到下游 SIC 器件的產業鏈一體化能力。
國內的企業均處於初創期或者剛剛介入 SIC 領域 ，包括傳統的功率器件廠商華潤微、捷捷微電、揚傑 科技 ，從傳統的硅基 MOSFET、晶閘管、二極體等切入 SIC 領域，IGBT 廠商斯達半導、比亞迪半導體等，但國內 當前的 SIC 器件營收規模都比較小 （揚傑 科技 最新披露 SIC 營收 2020 年上半年 19.28 萬元左右）；
未上市公司和單位中做的較好的有前面產業鏈總結中提到的一些，包括：
泰科天潤： 可以量產 SiC SBD，產品涵蓋 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；並且早在 2015 年，泰科天潤就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二極體產品，是從事 SIC 器件的較純正的公司；
中電科 55 所： 國內從 4-6 寸碳化硅外延生長、晶元設計與製造、模塊封裝實現全產業鏈的單位；
深圳基本半導體 ：成立於 2016 年，由清華大學、浙江大學、劍橋大學等國內外知名高校博士團隊創立，專注於 SIC 功率器件，也是深圳第三代半導體研究院發起單位之一，目前已經開始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 產品。
3.1 天科合達
天科合達是國內第三代半導體材料 SIC 晶片的領軍企業： 公司成立於 2006 年 9 月 12 日，2017 年 4 月至 2019 年 8 月在全國股轉系統掛牌轉讓，2020 年 7 月擬在科創板市場上市。
公司成長速度極快，2017-2019 年公司收入由 0.24 億增長至 1.55 億元，兩年 復合增長率 154%。
營收構成：SIC 晶片佔比約為一半
公司營收由三部分構成：碳化硅晶片佔比 48.12%，寶石等其他碳化硅產品 佔比 36.65%，碳化硅單晶生長爐佔比 15.23%。
設備自製：從設備到 SIC 片一體化布局
公司以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，採用物理氣相傳輸法（PVT）生長 碳化硅晶體，加工製成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶體的生長設備-碳化硅單晶 生長爐公司也能完成自製並對外銷售。
行業格局與公司地位
公司地位：2018 年，以導電型的 SIC 來看，天科合達以 1.7%的市場佔有率 排名全球第六，排名國內導電型碳化硅晶片第一。
3.2 山東天岳
1、半絕緣 SIC 片的領軍企業： 公司成立於 2010 年，專注於碳化硅晶體襯底 材料的生產；公司產品主要在半絕緣型的 SIC 片。公司投資建成了第三代半導 體材料產業化基地，具備研發、生產國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬體 條件，是我國第三代半導體襯底材料行業的先進企業。
2、成長能力： 據了解，公司收入從 2018 年收入 1.1 億左右增加至 2019 年超 過 2.5 億總收入（其中也有約一半是 SIC 衍生產品寶石等），同比增長 100%以 上。公司的 SIC 片主要集中在半絕緣型，而天科合達主要集中在導電型。
3、華為入股： 華為旗下的哈勃 科技 投資持股山東天岳 8.17%。
4、生產能力（ 公司採用的是長晶爐的數量進行表徵）：山東天岳的產能主 要由長晶爐的數量決定，2019 年產線上長晶爐接近 250 台，銷售襯底約 2.5 萬 片，預計年底前再購置一批長晶爐，目標增加至 550 台以上；
5、銷售價格： 2018 、2019 年公司襯底平均銷售價格大數大約在 6300 元/ 片、8900 元/片，預計今年的平均價格將會突破 9000 元，價格變動的主要原因 是 2,3 寸小尺寸襯底、N 型等相對低價的襯底銷售佔比逐步降低，高值的 4 寸 高純半絕緣產品佔比逐步提升導致單位售價提高。
6、技術實力： 山東天岳的碳化硅技術起源於山東大學晶體國家重點實驗 室，公司於 2011 年購買了該實驗室蔣明華院士專利，並投入了大量研發，歷經 多年工藝積累，將碳化硅襯底從實驗室的技術發展成為了產業化技術；山東天 岳除 30 人的研發團隊外，還在海外設有 6 個聯合研發中心；公司擁有專利近300 項，其中先進發明專利約 50 多項，先進實用性專利約 220 項，申請中的 發明專利約 50 多項。
3.3 斯達 半導
1、斯達 半導 97.5%的收入均是 IGBT， 是功率半導體已上市公司中最純正的 IGBT 標的，2019 收入 7.8 億（yoy+15.4%），歸母凈利潤 1.35（yoy+39.8%）， IGBT 模塊全球市佔率 2%，排名全球第八；
2、斯達半導在積極進行第三代半導體 SIC 的布局。 公司 SiC 相關的產品 和技術儲備在緊鑼密鼓的進行：
3、公司在未來重點攻關技術研發與開發計劃：
主要提到三項重要產品開發：1、全系列 FS-Trench 型 IGBT 晶元的研 發；2、新一代 IGBT 晶元的研發；3、SiC、GaN 等前沿功率半導體產品的研 發、設計及規模化生產：公司將堅持 科技 創新，不斷完善功率半導體產業布 局，在大力推廣常規 IGBT 模塊的同時，依靠自身的專業技術，積極布局寬禁 帶半導體模塊（SiC 模塊、 GaN 模塊），不斷豐富自身產品種類，加強自身競 爭力，進一步鞏固自身行業地位。
4、公司和宇通客車等客戶合作研發 SIC 車用模塊
2020 年 6 月 5 日，客車行業規模領先的宇通客車宣布，其新能源技術團隊 正在採用斯達半導體和 CREE 合作開發的 1200V SiC 功率模塊，開發業界領先 的高效率電機控制系統，各方共同推進 SiC 逆變器在新能源大巴領域的商業化應 用。
宇通方面表示，「斯達和 CREE 在 SiC 方面的努力和創新，與宇通電機控 制器高端化的產品發展路線不謀而合，同時也踐行了宇通「為美好出行」的發 展理念，相信三方在 SiC 方面的合作一定會碩果累累。」
我們在之前發布的斯達半導深度報告中測算斯達在不同 SIC 滲透率和不同 SIC 市佔率情境下 2025 年收入彈性，中性預計 2025 年斯達在國內的 SIC 器件市 佔率為 6-8%。 預計 2023-2024 年國內 SIC 產業鏈如山東天岳、三安光電等更加成 熟後，SIC 將迎來替代 IGBT 拐點，但是 IGBT 和 SIC MOS 等也將長期共存，相 信國內的技術領先優質的 IGBT 龍頭斯達半導能夠不斷儲備相關技術和產品， 積 極擁抱迎接這一行業創新。
3.4 三安光電
1、公司主要從事化合物半導體材料的研發與應用， 以砷化鎵、氮化鎵、碳 化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、晶元為核心 主業，產品主要應用於照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通 訊、功率器件、光通訊、感應感測等領域；
2、公司主業 LED 晶元，占公司營收的 80%以上，LED 是基於化合物半導 體的光電器件，在襯底、外延和器件環節具有技術互通性；
3、公司專注於化合物半導體的子公司三安集成，2019 年業務與同期相比呈 現積極變化：
1）射頻業務產品應用於 2G-5G 手機射頻功放 WiFi、物聯網、路由器、通 信基站射頻信號功放、衛星通訊等市場應用，砷化鎵射頻出貨客戶累計超過 90 家，客戶地區涵蓋國內外；氮化鎵射頻產品重要客戶已實現批量。生產，產能 正逐步爬坡；
2）2020 年 6 月 18 日公司公告，三安光電決定在長沙高新技術產業開發區 管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限於碳化硅等化合物第三代半導 體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底製作—外延生長—晶元制備—封裝產 業鏈，投資總額 160 億元，公司在用地各項手續和相關條件齊備後 24 個月內完成一期項目建設並實現投產，48 個月內完成二期項目建設和固定資產投資並實現投產，72 個月內實現達產；
3） 三安集成推出的高功率密度碳化硅功率二極體及 MOSFET 及硅基氮化 鎵 功率器件主要應用於新能源 汽車 、充電樁、光伏逆變器等電源市場，客戶累計超過 60 家， 27 種產品已進入批量量產階段。
4） 三安集成 19 年實現銷售收入 2.41 億元，同比增長 40.67%； 三安集成產品的認可度和行業趨勢已現，可以預見未來在第三代材料 SiC/GaN 的功率半導體中發展空間非常廣闊。
3.5 華潤微
1、公司是中國領先的擁有晶元設計、晶圓製造、封裝測試等全產業鏈一體化經營能力的半導體企業 ，產品聚焦於功率半導體、智能感測器與智能控制領域；
2、產品與製造並行： 公司 2019 年收入 57 億元，其中產品與方案佔比43.8%，製造與服務佔比 55%，製造與服務業務主要是晶圓製造和封測業務；產品與方案主體主要是功率半導體，佔比 90%，包括 MOSFET、IGBT、SBD 和FRD 等產品；
3、公司目前擁有 6 英寸晶圓製造產能約為 247 萬片/年，8 英寸晶圓製造產能約為 133 萬片/年，具備為客戶提供全方位的規模化製造服務能力；
4、SIC 領域積極布局：在 2020 年 7 月 4 日，公司進行了 SIC 產品的發布會，發布了全系列的 1200V/650V 的 SIC 二極體產品，公司有望通過 IDM 模式在 SIC 材料的各個功率半導體產品領域深耕並持續受益於產品升級和國產替代。
3.6 捷捷微電
1、公司是國內晶閘管龍頭，持續布局 MOSFET 和 IGBT 等高端功率半導體器件。 按照公司年報口徑，2019 年功率分立器件收入佔比 75%，功率半導體晶元收入佔比 23%； 公司的功率分立器件，50%左右業務是晶閘管 （用於電能變換與控制），還有部分二極體業務，其餘是防護器件系列（主要作用是防浪涌沖擊、防靜電的電子產品內部，保護內部昂貴的電子電路）；
2、公司於 2020 年 2 月 27 日與中芯集成電路製造(紹興)有限公司（簡稱「SMEC」）簽訂了《功率器件戰略合作協議》，在 MOSFET、IGBT 等相關高端功率器件的研發和生產領域展開深度合作；公告披露，捷捷微電方保證把SMEC 作為戰略合作夥伴，最大化的填充 SMEC 產能，2020 年度總投片不低於80000 片，月度投片不低於 7000 片/月。
3、公司長期深耕晶閘管和二極體等分立器件，這些客戶和 MOSFET 和IGBT 等相關高端功率器件有重疊， 公司從晶閘管領域切入到 MOS 後，在這兩個產品大類上也將積極應用第三代半導體 SIC，為後續提升自身器件性能和產品競爭力做好准備。
3.7 揚傑 科技
1、公司是產品線較廣的功率分立器件公司 。公司產品主要包括功率二極體、整流橋、大功率模塊、小信號二三極體，MOSFET，也有極少部分的 IGBT 產品。按照公司年報口徑，2019 年功率分立器件收入佔比 80%，功率半導體晶元收入佔比 13.8%，半導體矽片業務佔比 4.55%。
2、公司第三代半導體 SIC 器件 目前收入較少。公司積極布局高端功率半導體，籌備建立無錫研發中心，和中芯國際（紹興）簽訂保障供貨協議 ，持續擴充 8 寸 MOS 產品專項設計研發團隊，已形成批量銷售的 Trench MOSFET 和SGT MOS 系列產品。
3、SIC 產品目前佔比小： 公司 2020 年 9 月公告，目前主營產品仍以硅基功率半導體產品為主， 第三代半導體產品的銷售收入佔比較小， 2020 年 1-6 月，公司碳化硅產品的銷售收入為 19.28 萬元。
4、我們認為同捷捷微電一樣，公司是中低端功率器件利基市場龍頭，雖然目前 SIC 產品的佔比較小，主要是由於國內產業鏈成熟度的拐點剛剛到來；未來公司將積極布局各種基於 SIC 材料的功率器件，從而提高其產品性能並實現市場佔有率持續穩步提升，打開業務天花板和想像空間。
3.8 露笑 科技
1、傳統主業是 電磁線產品： 公司是專業的節能電機、電磁線、渦輪增壓器、藍寶長晶片研發、生產、銷售於一體的企業，公司主要產品有各類銅、鋁芯電磁線、超微細電磁線、小家電節能電機、無刷電機、數控電機、渦輪增壓器和藍寶石長晶設備等產品。 公司是國內主要電磁線產品供應商之一，也是國內最大的鋁芯電磁線和超微細電磁線產品生產基地之一。
2、SIC 長晶設備已經開始對外供貨： 露笑 科技 基於藍寶石技術儲備，經過多年研發已快速突破碳化硅工藝壁壘，在藍寶石基礎上布局碳化硅長晶爐和晶片生產。碳化硅跟藍寶石從設備、工藝到襯底加工有較強的共同性和技術基礎，例如精確的溫場控制、精確的壓力控制、精確的籽晶晶向生長以及基片加工等壁壘。 公司在多年藍寶石生產技術支持下成功研發出碳化硅自主可控長晶設備，並在 2019 年開始對外供貨 SIC 長晶設備。
4、公司布局 SIC 的人才優勢： 公司引進具有二十多年碳化硅行業從業經驗的技術團隊，開展碳化硅襯底及外延技術研究，加碼布局碳化硅產業。2020 年 4月，公司發布非公開募集資金公告，擬募集資金總額不超過 10 億元，用於新建碳化硅襯底片產業化項目、碳化硅研發中心項目和償還銀行貸款。 隨著公司碳化硅產品研發並量產，公司有望取得一定的市場份額。
5、與合肥合作打造第三代半導體 SIC 產業園： 2020 年 8 月 8 日與合肥市長豐縣人民政府在合肥市政府簽署《合肥市長豐縣與露笑 科技 股份有限公司共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園的戰略合作框架協議》。包括但不限於碳化硅等第三代半導體的研發及產業化項目，包括碳化硅晶體生長、襯底製作、外延生長等的研發生產，項目投資總規模預計 100 億元。
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（報告觀點屬於原作者，僅供參考。作者：華安證券，尹沿技）
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③ 天科合達上市,天富能源受益多大
對此，一位業內人士指出，股價近日的異常波動和最近天富能源的一則公告不無關系。12月4日，天富能源公告顯示，公司擬出資20000萬元參與關聯方天科合達增資，增資完成後，公司將持有天科合達3.7068%股份。 對於本次增資，部分市場人士解讀為天科合達即將上市的一個信號。就公司基本面而言，天富能源主業為電力與熱力生產、供應，天然氣供應。天富能源公告中提到，公司電、熱、氣等主業產品均為市場定價，近年來國家能源政策因素，以及原材料價格上升等因素，公司整體利潤率較低。因此，天富集團希望進行戰略轉型，為天富能源尋找新的利潤增長點。 相比之下，天科合達正處在這個時代行業風口上，市場前景被廣泛看好。公開資料顯示，天科合達是國內領先的第三代半導體材料—碳化硅晶片生產商。華安證券表示，未來5-10年，國內SIC行業成長性佳，在疫情和貿易紛爭的背景下，高端功率半導體迎來加速發展機遇。 事實上，今年7月，天科合達提交了科創板發行申請，不過於10月15日撤回IPO申請。盡管公司沒有官方透露，但有業內人士表示，此次科創板受阻主要由於天科合達莫桑鑽業務佔比高，被監管機構質疑其科創屬性。 那麼作為天科合達的戰略投資者，天富能源能否從中受益呢？ 實際上，擺在天科合達面前的是兩種上市方式，分別為獨立上市，或是注入天富能源達到上市目的。不同的選擇對天富能源的影響也不盡相同。 目前來看，若天科合達基本面扎實，業務前景廣闊，則借殼上市的概率並不大。根據相關數據顯示，近年來借殼上市並帶動企業持續發展的成功案例並不多。17到19年，成功案例均只有個位數。有專家指出，過去企業認為借殼是快速上市的捷徑，但現在借殼難度加大，「洗殼」成本比高，在現有政策和市場環境下，借殼的性價比已經很差。 可盡管如此，天科合達借殼天富能源上市的可能性依然存在，此前天科合達主動撤回上市申請，或許不僅僅是其部分業務受質疑的科創屬性，其本身的經營也有一定的不確定性。 盡管天科合達近來營業收入增長迅速，但是業績高度依賴政府和稅收優惠。2018至2020年一季度，政府補助和稅收優惠合計占同期公司利潤總額的比例分別為534%、109.9%和232.07%。數據背後隱含之意是，若沒有了政府補助和稅收優惠支持，業績可能會一落千丈。 一旦天科合達選擇注入天富能源上市，有業內人士指出，實施借殼上市後，往往伴隨股價大漲。市場預計，這種方式下天富能源市值將達到450億元，較目前暴漲650%。 不過，有機構認為，天科合達更可能性會選擇獨立上市的同時，天富集團會將其持有的天科合達股權注入天富能源。目前，天富集團是天科合達的第一大股東，約占據25%。從歷史淵源來看，此前天科合達的股權為天富能源所有。當初天富能源因上市規定，將天科合達的股權轉給天富集團。未來如果天科合達上市，天富能源有沒有可能重新拿回其股權呢？這或許很大程度取決於控股後天科合達和天富能源業務的協同性如何。 天富能源在近日對上交所的問詢函回復中表示，公司本次增資天科合達，希望藉助天科合達自身的技術及市場優勢，公司將有可能獲得與其優質股東、供應商及客戶進一步溝通及合作的可能性。天富能源希望藉此進入天科合達的上下游產業鏈。 但是公司的業務是以熱力、電力為主，想進入半導體材料這一全新行業會面臨諸多困難。從短期來看，天富能源嘗試將目前的主營業務和天科合達業務進行協同更為實際。 天富能源的所在地新疆煤炭資源豐富，公司招股書顯示，石河子地區墾區內的煤炭總儲量5.5億噸，集中供熱具有良好條件。另外，石河子電網由新疆生產兵團投資建設，自管、自發自用的獨立性地方電網，發電成本低。天科合達的招股說明書中則顯示，天科合達在新疆擁有一家全資子公司，用來進行碳化硅等項目的生產。天富能源向新疆天科合達提供電力、通訊服務、供暖及安保等服務，而新疆天科合達向其支付相關費用。 目前，供電費上，天科合達17-19年費用佔比分別為2.04%、1.40%和1.54%，供暖費方面，17-19年佔比分別為0.06%、0.04%和0.02%。因此，雙方的交易金額及佔比均比較低，並且公司預計該類型關聯交易仍將保持較低水平。不難看出，盡管天科合達與天富能源存在交易往來，但是合作的力度和深度都不足以形成協同效應。 更關鍵的是，從天科合達的IPO募集書來看，公司募集資金將用於第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目，其中項目建設地址並不位於新疆。在這種情況下，天富能源的資源優勢恐怕無法發揮。由此看來，兩家公司業務性較好的協同效應也就不太樂觀了。